姓名： 亢宝位
性别： 男
出生年月： 1939.1
所属学科： 半导体器件与技术
所在单位： 电控学院
职称： 教授
联系方式
　
联系电话： 010-67391639
传真：
手机：
通讯地址： 北京市朝阳区平乐园100号
邮政编码： 100022
　
详细介绍
主要特长：
功率半导体器件（电力电子器件）与功率集成电路。
主要成果：
1.国家自然科学基金重点项目，1999－2002，功率晶体管耐压层；
2.国家自然科学基金项目，2004，快恢复功率二极管制造技术研究；
3.北京市教委科技发展基金重点项目，2002－2005，超快恢复二极管制造新技术研究；
4.宽温区晶体管，电子部科技进步2等奖，国家发明4等奖；氢敏MOSFET，获北京市科技进步2等奖；高频高压双极晶体管，北京市科技进步2等奖；超高频塑封高压硅堆制造技术，国际先进水平，科技部验收；功率MOSFET与并联快恢复二极管研究（与香港科技大学合作）；超级结功率器件研究（与美国密执根大学合作）；低功耗IGBT研究；