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秦福文老师介绍
姓名:秦福文
办公室电话:84708380－8304
电子邮箱地址:qfw@dlut.edu.cn
主要学历及工作经历:
秦福文，副教授，博士。1968年出生于辽宁省瓦房店市。1991年9月至1994年7月，在吉林大学电子工程系半导体物理与半导体器件物理专业攻读硕士研究生，获理学硕士学位。1998年3月至2003年12月攻读本校材料学专业在职博士，获工学博士学位（论文题目：RHEED原位监测的PEMOCVD方法及GaN基薄膜低温生长。导师：杨大智，顾彪教授）。
1994年7月至2003年11月，在大连理工大学电气工程与应用电子技术系工作；2003年12月转入物理与光电工程学院工作；现为大连理工大学三束材料改性重点实验室、大连理工大学辽宁省光伏重点实验室的固定研究人员；2006年4月加入大连理工大学长江学者讲座教授姜辛教授（德国锡根大学终身教授）创新团队。
1994年参加工作至今，一直从事多晶硅、GaN基薄膜的低温制备及其应用研究。1996年至1998年作为主要参加者参与完成了“氮化镓的PEMOCVD生长中的可控活化与活性粒子研究（No.19575006）”、“GaN薄膜的ECR等离子体增强MOCVD低温生长及其特性研究（No.69575003）”及“自组织GaN量子点结构的ECR-PEMOCVD生长及其特性研究（No.69976008）”三项国家自然科学基金项目；1996年至2000年参与完成一项“立方GaN及GaN基材料的PEMOCVD低温生长（No.715-011-0033）”国家863项目。
2005至2007年，作为项目负责人完成一项国家自然基金项目“(Ga,Mn)N基稀磁半导体量子点的自组织低温生长与特性（No.60476008）”。目前承担一项辽宁省重点实验室项目“AlN/自持金刚石膜结构高频SAW滤波器的研制”的研究工作。是《中国物理快报（英文版）》，《材料科学技术（英文版）》，《功能材料与器件学报》等学术期刊的评审专家。
目前，主要从事硅基太阳能电池和InGaN基高效太阳能电池的研究工作。
研究领域（研究课题）:
1.GaN、GaMnN、AlN、InGaN等氮化物半导体薄膜的低温生长与应用研究；
2.多晶硅薄膜的低温生长及其在太阳能电池领域的应用研究；
3.氮化硅、氧化物等介质薄膜的低温生长与特性；
4.晶体硅太阳能电池组件研究。
指导硕、博士生研究方向:
1.凝聚态物理
2.微电子学与固体电子学
出版著作和论文:
近年来发表的主要论文有：
[1] 秦福文，顾彪，徐茵，杨大智。氮化铝单晶薄膜的ECR-PEMOCVD低温生长研
究。物理学报，2003，52 (5)：1240-1244
[2] 秦福文，顾彪，徐茵，杨大智。蓝宝石衬底的ECR等离子体清洗与氮化的
RHEED研究。半导体学报，2003，24 (6)：668-672
[3] 秦福文，顾彪，徐茵，杨大智。GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜。半导体
光电，2003，24（1）：32-36
[4] 何欢，秦福文（通讯作者），吴爱民，王叶安，代由勇，姜辛，徐茵，顾
彪。ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性。半导体学报，2007，28
（7）:1053-1057
[5] 王叶安，秦福文（通讯作者），吴东江。基于电子回旋共振－等离子体增强
金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究。物理学报，
2008，57（1）：508－513
[6] Qin Fu-wen, Wu Ai-min, Wang Ye-an, Gu Biao, Xu Yin, Jiang Xin,
Analysis of diluted magnetic semiconductor GaMnN grown by ECR-
PEMOCVD, 16th International Colloquium on Plasma Processes
(CIP07), June4-8, 2007, Toulouse (France), 175
[7] Qin Fu-wen, Wu Ai-min, He-Huan, Jiang Xin, Xu Yin, Gu Biao. Growth
and its properties of GaMnN film based on ECR-PEMOCVD. materials
science forum，Vol.561-565(2007): 1193-1196
[8] Biao Gu, Yin Xu, Fu-wen Qin, San-sheng Wang. ECR plasma in growth
of c-GaN by low pressure MOCVD. Plasma Chemistry and Plasma
Processing, 2002, 22(1):161-175
[9] Yin Xu, Biao Gu, Fu-Wen Qin. Electron cyclotron resonance plasma
enhanced metal- organic chemical vapor deposition system with
monitoring in situ for epitaxial growth of group-III nitrides.
Journal of Vacuum Science & Technology A, 2004, 22(2):302-308
发明专利：电子回旋共振微波等离子体增强金属有机化学气相沉积外延系统与
技术
申请人： 大连理工大学（徐茵，顾彪，秦福文）
专利号：ZL 01 1 01424.5
授权公告日：2003年9月10日
在读硕士、博士人数:
4
已毕业硕士博士人数:
6
以上资料最后修改时间:
2009-3-18
办公室电话:84708380－8304
电子邮箱地址:qfw@dlut.edu.cn
主要学历及工作经历:
秦福文，副教授，博士。1968年出生于辽宁省瓦房店市。1991年9月至1994年7月，在吉林大学电子工程系半导体物理与半导体器件物理专业攻读硕士研究生，获理学硕士学位。1998年3月至2003年12月攻读本校材料学专业在职博士，获工学博士学位（论文题目：RHEED原位监测的PEMOCVD方法及GaN基薄膜低温生长。导师：杨大智，顾彪教授）。
1994年7月至2003年11月，在大连理工大学电气工程与应用电子技术系工作；2003年12月转入物理与光电工程学院工作；现为大连理工大学三束材料改性重点实验室、大连理工大学辽宁省光伏重点实验室的固定研究人员；2006年4月加入大连理工大学长江学者讲座教授姜辛教授（德国锡根大学终身教授）创新团队。
1994年参加工作至今，一直从事多晶硅、GaN基薄膜的低温制备及其应用研究。1996年至1998年作为主要参加者参与完成了“氮化镓的PEMOCVD生长中的可控活化与活性粒子研究（No.19575006）”、“GaN薄膜的ECR等离子体增强MOCVD低温生长及其特性研究（No.69575003）”及“自组织GaN量子点结构的ECR-PEMOCVD生长及其特性研究（No.69976008）”三项国家自然科学基金项目；1996年至2000年参与完成一项“立方GaN及GaN基材料的PEMOCVD低温生长（No.715-011-0033）”国家863项目。
2005至2007年，作为项目负责人完成一项国家自然基金项目“(Ga,Mn)N基稀磁半导体量子点的自组织低温生长与特性（No.60476008）”。目前承担一项辽宁省重点实验室项目“AlN/自持金刚石膜结构高频SAW滤波器的研制”的研究工作。是《中国物理快报（英文版）》，《材料科学技术（英文版）》，《功能材料与器件学报》等学术期刊的评审专家。
目前，主要从事硅基太阳能电池和InGaN基高效太阳能电池的研究工作。
研究领域（研究课题）:
1.GaN、GaMnN、AlN、InGaN等氮化物半导体薄膜的低温生长与应用研究；
2.多晶硅薄膜的低温生长及其在太阳能电池领域的应用研究；
3.氮化硅、氧化物等介质薄膜的低温生长与特性；
4.晶体硅太阳能电池组件研究。
指导硕、博士生研究方向:
1.凝聚态物理
2.微电子学与固体电子学
出版著作和论文:
近年来发表的主要论文有：
[1] 秦福文，顾彪，徐茵，杨大智。氮化铝单晶薄膜的ECR-PEMOCVD低温生长研
究。物理学报，2003，52 (5)：1240-1244
[2] 秦福文，顾彪，徐茵，杨大智。蓝宝石衬底的ECR等离子体清洗与氮化的
RHEED研究。半导体学报，2003，24 (6)：668-672
[3] 秦福文，顾彪，徐茵，杨大智。GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜。半导体
光电，2003，24（1）：32-36
[4] 何欢，秦福文（通讯作者），吴爱民，王叶安，代由勇，姜辛，徐茵，顾
彪。ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性。半导体学报，2007，28
（7）:1053-1057
[5] 王叶安，秦福文（通讯作者），吴东江。基于电子回旋共振－等离子体增强
金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究。物理学报，
2008，57（1）：508－513
[6] Qin Fu-wen, Wu Ai-min, Wang Ye-an, Gu Biao, Xu Yin, Jiang Xin,
Analysis of diluted magnetic semiconductor GaMnN grown by ECR-
PEMOCVD, 16th International Colloquium on Plasma Processes
(CIP07), June4-8, 2007, Toulouse (France), 175
[7] Qin Fu-wen, Wu Ai-min, He-Huan, Jiang Xin, Xu Yin, Gu Biao. Growth
and its properties of GaMnN film based on ECR-PEMOCVD. materials
science forum，Vol.561-565(2007): 1193-1196
[8] Biao Gu, Yin Xu, Fu-wen Qin, San-sheng Wang. ECR plasma in growth
of c-GaN by low pressure MOCVD. Plasma Chemistry and Plasma
Processing, 2002, 22(1):161-175
[9] Yin Xu, Biao Gu, Fu-Wen Qin. Electron cyclotron resonance plasma
enhanced metal- organic chemical vapor deposition system with
monitoring in situ for epitaxial growth of group-III nitrides.
Journal of Vacuum Science & Technology A, 2004, 22(2):302-308
发明专利：电子回旋共振微波等离子体增强金属有机化学气相沉积外延系统与
技术
申请人： 大连理工大学（徐茵，顾彪，秦福文）
专利号：ZL 01 1 01424.5
授权公告日：2003年9月10日
在读硕士、博士人数:
4
已毕业硕士博士人数:
6
以上资料最后修改时间:
2009-3-18
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