姓名
胡广达
性别
男
出生日期
1970年7月
学历学位
博士
职称（职务）
教授
研究领域
压电材料、介电材料、多铁性材料、纳米材料等，以及基于这些材料的电子器件。
学术与社会兼职
联系电话
85175201
电子邮箱
mse_hugd@ujn.edu.cn
通讯地址
个人简历：2004年2月-至今 济南大学材料科学与工程学院 教授
2001年8月-2004年1月 复旦大学微电子学系 副教授
2000年6月-2001年6月 香港中文大学电子工程系 博士后研究员
1996年12月-1999年12月 香港中文大学电子工程系 博士研究生
1993年9月-1996年7月 吉林大学电子工程系 硕士研究生
1988年9月-1993年7月 吉林大学电子工程系 本科生（五年制）
教学工作：
本科生：材料物理性能。? 研究生：铁电薄膜与器件
科研（鉴定）成果：
高密度铁电不挥发存储器用Bi4-xLaxTi3O12薄膜尺寸效应研究（国家自然科学基金,已结题）
在研项目：
CBTi基压电薄膜取向控制与畴结构研究 （国家自然科学基金）
Bi4Ti3O12基铁电薄膜紫外探测器件研究 （山东省自然科学基金重点项目）
专利与奖励：
科研项目招商：（100）-取向Bi4-xLnxTi3O12薄膜低温制备技术
科研教学论文：
1, Orientation dependence of ferroelectric and piezoelectric properties of BNT thin films on Pt(100)/TiO2/SiO2/Si substrates, G. D. Hu, Journal of Applied Physics 100, 096109 2006,
2, Anisotropy of ferroelectric and piezoelectric properties of Bi3.15Pr0.85Ti3O12 thin films on Pt(100)/Ti/SiO2/Si substrates, G. D. Hu, X. Cheng, and S. H. Fan, Journal of Applied Physics, 101, 054111, 2007
3, Electrochemical deposition of p-type CuSCN in porous n-type TiO2 films, W. B. Wu, Z. G. Jing, G. D. Hu,
Electrochimica Acta, 52, 4804, (2007) (Corresponding author)
4, (Na0.5Bi0.5)0.87Pb0.13TiO3 thin films on different substrates for ferroelectric memory applications, C. H. Yang, G. D. Hu, and X. Q. Sun, Applied Physics Letters, 91, 192910 (2007) (Corresponding author)