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王德亮老师介绍
王德亮 单位:中国科技大学
地址:安徽省合肥市金寨路96号 邮编:230026
电话:3600450
传真:0551-3606266
个人简介
出生日期:1967年4月;国籍:中国
1985-1989,北京科技大学,学士学位。
1989-1992,中国科学院固体物理研究所硕士研究生,硕士学位。
1993-1994,中国科学院固体物理研究所博士研究生。
1994-1997,德国Goettingen大学物理系博士研究生,自然哲学博士学位。
1998-1999, 中国科学院物理研究所博士后。
1999-2002, 获日本原子技术联合研究中心资助,在该联合研究中心任研究员(Research Scientist)。
2003-2005, 香港科技大学从事研究助理工作。
2005年-,中国科技大学合肥微尺度物质科学国家实验室研究员,兼任中国科技大学材料系教授。目前主要从事高转换效率薄膜半导体太阳电池材料和器件制备.毕业研究生可以获得货真价实的专业知识.
论文专著
1) Lattice vibration fundamentals in nanocrystalline anatase investigated with Raman scattering - J. Phys.: Condens. Matter - 2008
2) Lattice vibration fundamentals of nanocrystalline anantase: temperature-dependent study using micro-Raman scattering spectroscopy - J Appl Phys. - 2007
3) Micro-Raman scattering study of stress distribution in GaN films grown on patterned Si(111)by metalorganic chemical vapor deposition - Journal of Applied.Physics - 2005
4) Characterization of GaN grown on patterned Si(111) substrate - Journal of Crystal Growth - 2004
5) Si-doped cubic GaN grown on Si(001)substrate coated with a thin flat SiC buffer layer - Applied Physics Letters - 2002
6) Initial growth of hexagonal GaN grown on a Si(111)substrate coated with an ultra-thin SiC buffer layer - Journal of Crystal Growth - 2002
7) Dislocation core structures in GaN grown on Si(111)subtrate - Philosophy Magazine Letters - 2002
8) Growth of Hexagonal GaN on si(111) Coated with a Thin Flat SiC Buffer Layer - Applied Physics Letters - 2000
9) Heteroepitaxial Growth of Cubic GaN on Si(001)Coated with Thin Flat SiC by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy - Applied Physics Letters - 2000
10) Lattice Vibration Fundamentals of Anatase Nanocrystalline TiO2 Thin Films Detected Using Unpolarized Infrared Spectroscopy - Chemistry Letters - 2006
11) Mechanical characterization of suspended GaN microstructures fabricated by GaN-on-patterned-silicon technique - Applied Physics Letters - 2006
地址:安徽省合肥市金寨路96号 邮编:230026
电话:3600450
传真:0551-3606266
个人简介
出生日期:1967年4月;国籍:中国
1985-1989,北京科技大学,学士学位。
1989-1992,中国科学院固体物理研究所硕士研究生,硕士学位。
1993-1994,中国科学院固体物理研究所博士研究生。
1994-1997,德国Goettingen大学物理系博士研究生,自然哲学博士学位。
1998-1999, 中国科学院物理研究所博士后。
1999-2002, 获日本原子技术联合研究中心资助,在该联合研究中心任研究员(Research Scientist)。
2003-2005, 香港科技大学从事研究助理工作。
2005年-,中国科技大学合肥微尺度物质科学国家实验室研究员,兼任中国科技大学材料系教授。目前主要从事高转换效率薄膜半导体太阳电池材料和器件制备.毕业研究生可以获得货真价实的专业知识.
论文专著
1) Lattice vibration fundamentals in nanocrystalline anatase investigated with Raman scattering - J. Phys.: Condens. Matter - 2008
2) Lattice vibration fundamentals of nanocrystalline anantase: temperature-dependent study using micro-Raman scattering spectroscopy - J Appl Phys. - 2007
3) Micro-Raman scattering study of stress distribution in GaN films grown on patterned Si(111)by metalorganic chemical vapor deposition - Journal of Applied.Physics - 2005
4) Characterization of GaN grown on patterned Si(111) substrate - Journal of Crystal Growth - 2004
5) Si-doped cubic GaN grown on Si(001)substrate coated with a thin flat SiC buffer layer - Applied Physics Letters - 2002
6) Initial growth of hexagonal GaN grown on a Si(111)substrate coated with an ultra-thin SiC buffer layer - Journal of Crystal Growth - 2002
7) Dislocation core structures in GaN grown on Si(111)subtrate - Philosophy Magazine Letters - 2002
8) Growth of Hexagonal GaN on si(111) Coated with a Thin Flat SiC Buffer Layer - Applied Physics Letters - 2000
9) Heteroepitaxial Growth of Cubic GaN on Si(001)Coated with Thin Flat SiC by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy - Applied Physics Letters - 2000
10) Lattice Vibration Fundamentals of Anatase Nanocrystalline TiO2 Thin Films Detected Using Unpolarized Infrared Spectroscopy - Chemistry Letters - 2006
11) Mechanical characterization of suspended GaN microstructures fabricated by GaN-on-patterned-silicon technique - Applied Physics Letters - 2006
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