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张贺秋老师介绍
姓名:张贺秋
办公室电话:0411-84707865
电子邮箱地址:hqzhang@dlut.edu.cn
主要学历及工作经历:
1993.9-1997.7 大连理工大学 物理系 本科生
1997.9-2000.7 大连理工大学 物理系 硕士生
2000.9-2003.12 北京大学 微电子研究院 博士生
2003.12 获得博士学位
2004.4至今 大连理工大学 物理与光电工程学院 工作
研究领域（研究课题）:
主要从事半导体材料的生长、表征；半导体器件工作机理及半导体器件可靠性方面的工作。目前所研究的课题是ZnO半导体材料特性方面的工作。
指导硕、博士生研究方向:
半导体器件制造
半导体器件工作机理
半导体材料生长等
出版著作和论文:
1. 张贺秋，毛凌锋，许铭真，谭长华，“超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流（英文），”半导体学报，23卷，4期，2002：367-372
2. 张贺秋，许铭真，谭长华，“超薄栅氧化物pMOSFET器件在软击穿后的特性(英文)，” 半导体学报，24卷，11期，2003：1149-1153
3. 张贺秋，许铭真，谭长华，“不同厚度超薄栅氧化物MOSFET的应力诱导漏电流(英文)，” 半导体学报，25卷，3期，2004：257-261
4. Zhang Heqiu,Xu Mingzhen and Tan Changhua, “An Empirical Direct Tunneling Current Expression for Ultra-Thin Oxide nMOSFETs,” Chinese Journal of Semiconductors, Vol.25, No.5, 2004:516-519
5. Zhao Jie, Hu Lizhong, Wang Zhaoyang, Wang Zhijun, Zhang Heqiu, Zhao Yu, and Liang Xiuping. Epitaxial growth of ZnO thin films on Si substrates by PLD technique. Journal of Crystal Growth. 2005, 280,(3-4): 455–461.
6. 赵杰, 胡礼中, 王兆阳, 李银丽, 王志俊, 张贺秋, 赵宇. PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究. 功能材料, 2005, 36,(12):1879-1882.
7. Wang Zhaoyang, Hu Lizhong, Zhao Jie, Zhang Heqiu, and Wang Zhijun. The fabrication of ZnO/MgO multilayer films on Si (111) by PLD. Vacuum, (accepted).
8. Mao Lingfeng, Zhang Heqiu, Tan Changhua, Xu Mingzhen, “The effect of transition region on the direct tunneling current and Fowler-Nordheim tunneling current oscillations in ultrathin MOS structures,” Microelectronics Reliability, Vol.42, No.2, 2002:175-181
9. Lingfeng Mao, Yao Yang, Jian-Ling Wei, Heqiu Zhang, Ming-Zhen Xu, Chang-Hua Tan,”Effect of SiO2/Si interface roughness on gate current”, Microelectronics Reliability 41(2001),1903-1907
10. L. F. Mao, H. Q. Zhang, J.L. Wei, C. H. Tan and M. Z. Xu“Estimation of Interface Roughness using Tunneling Current in Ultrathin MOSFET”ICSICT
11. Lingfeng Mao*, Heqiu Zhang, Changhua Tan and Mingzhen Xu, “The effect of transition region on the direct tunneling current and Fowler-Nordheim tunneling current oscillations in ultrathin MOS structures”, Microelectronic reliability V.42, No.2, 2002 p 175-181
12. 毛凌锋 谭长华 许铭真 卫建林 穆甫臣 张贺秋 “粗糙界面对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响,” 半导体学报, 2001，第22卷第9期，pp.1143-1146
以上资料最后修改时间:
2007-8-23
办公室电话:0411-84707865
电子邮箱地址:hqzhang@dlut.edu.cn
主要学历及工作经历:
1993.9-1997.7 大连理工大学 物理系 本科生
1997.9-2000.7 大连理工大学 物理系 硕士生
2000.9-2003.12 北京大学 微电子研究院 博士生
2003.12 获得博士学位
2004.4至今 大连理工大学 物理与光电工程学院 工作
研究领域（研究课题）:
主要从事半导体材料的生长、表征；半导体器件工作机理及半导体器件可靠性方面的工作。目前所研究的课题是ZnO半导体材料特性方面的工作。
指导硕、博士生研究方向:
半导体器件制造
半导体器件工作机理
半导体材料生长等
出版著作和论文:
1. 张贺秋，毛凌锋，许铭真，谭长华，“超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流（英文），”半导体学报，23卷，4期，2002：367-372
2. 张贺秋，许铭真，谭长华，“超薄栅氧化物pMOSFET器件在软击穿后的特性(英文)，” 半导体学报，24卷，11期，2003：1149-1153
3. 张贺秋，许铭真，谭长华，“不同厚度超薄栅氧化物MOSFET的应力诱导漏电流(英文)，” 半导体学报，25卷，3期，2004：257-261
4. Zhang Heqiu,Xu Mingzhen and Tan Changhua, “An Empirical Direct Tunneling Current Expression for Ultra-Thin Oxide nMOSFETs,” Chinese Journal of Semiconductors, Vol.25, No.5, 2004:516-519
5. Zhao Jie, Hu Lizhong, Wang Zhaoyang, Wang Zhijun, Zhang Heqiu, Zhao Yu, and Liang Xiuping. Epitaxial growth of ZnO thin films on Si substrates by PLD technique. Journal of Crystal Growth. 2005, 280,(3-4): 455–461.
6. 赵杰, 胡礼中, 王兆阳, 李银丽, 王志俊, 张贺秋, 赵宇. PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究. 功能材料, 2005, 36,(12):1879-1882.
7. Wang Zhaoyang, Hu Lizhong, Zhao Jie, Zhang Heqiu, and Wang Zhijun. The fabrication of ZnO/MgO multilayer films on Si (111) by PLD. Vacuum, (accepted).
8. Mao Lingfeng, Zhang Heqiu, Tan Changhua, Xu Mingzhen, “The effect of transition region on the direct tunneling current and Fowler-Nordheim tunneling current oscillations in ultrathin MOS structures,” Microelectronics Reliability, Vol.42, No.2, 2002:175-181
9. Lingfeng Mao, Yao Yang, Jian-Ling Wei, Heqiu Zhang, Ming-Zhen Xu, Chang-Hua Tan,”Effect of SiO2/Si interface roughness on gate current”, Microelectronics Reliability 41(2001),1903-1907
10. L. F. Mao, H. Q. Zhang, J.L. Wei, C. H. Tan and M. Z. Xu“Estimation of Interface Roughness using Tunneling Current in Ultrathin MOSFET”ICSICT
11. Lingfeng Mao*, Heqiu Zhang, Changhua Tan and Mingzhen Xu, “The effect of transition region on the direct tunneling current and Fowler-Nordheim tunneling current oscillations in ultrathin MOS structures”, Microelectronic reliability V.42, No.2, 2002 p 175-181
12. 毛凌锋 谭长华 许铭真 卫建林 穆甫臣 张贺秋 “粗糙界面对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响,” 半导体学报, 2001，第22卷第9期，pp.1143-1146
以上资料最后修改时间:
2007-8-23
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