姓 名 张仁刚 性 别 男
出生年月 1973年 民 族 汉族
工作单位 理学院应用物理系 籍 贯 湖北省
职 称 副教授 职 务
毕业学校 中科院高能物理所 毕业专业 凝聚态物理
最终学历 博士研究生 最终学位 博士
通信地址 联系电话 027-63463321
电子邮件 whzhrg@yahoo.com.cn
研究方向 1. 化合物半导体薄膜制备、表征与器件
2. 纳米结构硫族化合物光电、催化、磁学等特性
3. 薄膜材料先进制备技术与应用
进修、留学
研究生培养
在研项目 ZnO和ZnS薄膜转变机理的研究；
ZnOx(0≤x≤1)薄膜在硫蒸气中生长特性研究
科研成果 近几年发表论文：
1.RG Zhang, BY Wang, L Wei. Influence of RF power on the structure of ZnS thin films grown by sulfurizing RF sputter deposited ZnO. Materials Chemistry and Physics, 2008 112: 557-561
2.RG Zhang, BY Wang, L Wei. Sulfidation growth and characterization of nanocrystalline ZnS thin films. Vacuum, 2008 82: 1208-1211
3.RG Zhang, BY Wang, H Zhang, L Wei. Influence of sulfidation ambience on the properties of nanocrystalline ZnS films prepared by sulfurizing the as-sputtered ZnO films. Applied Surface Science, 2005 245(1-4): 340-345
4.RG Zhang, BY Wang, H Zhang, L Wei. The structure and optical properties of the nanocrystalline ZnS films prepared by sulfurizing the as-deposited ZnO films. Applied Surface Science, 2005 241(3-4): 435-441
5.RG Zhang, BY Wang, DY Wan, L Wei. Effects of the sulfidation temperature on the structure, composition and optical properties of ZnS films prepared by sulfurizing ZnO films. Optical Materials, 2004 27(3): 419-423
6.张仁刚, 王宝义, 张辉, 马创新, 魏龙. 不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性. 物理学报, 2005 54(5): 2389-2393