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赵正平老师介绍
1982年12月南京工学院硕士研究生毕业。现任信息产业部电子第十三研究所所长,研究员级高级工程师,享受政府特殊津贴专家,国家级有突出贡献中青年专家。
??多年来一直从事砷化镓集成电路与微米、钠米技术研究,是该领域的专家和学术带头人。科研成果显著,多项科研成果获国家、省部级科技进步奖,其中:"DX083-3/一体化固态功率放大器"获国家科技进步二等奖和部级科技进步一等奖;"JGF353型9.0-9.8GHz场效应管单片集成放大器"获国家科技进步三等奖;"烽火一号"UHF25W故态功率放大器获部级科技进步二等奖;"CX631GaAs场效应晶体管"获部级科技进步二等奖等。
发表论文多篇,其中:"固态微小卫星的技术总体方案"、"21世纪初微电子技术发展展望"、"一种单片微波集成电路中心值设计方案"、"红外电子隧道传感器的现状及发展趋势"、"GaAs IC CAD发展现状与趋势"等论文分别发表在《中国国防科学技术报告》、《半导体情报》、《清华大学学报》、《仪器仪表学报》等杂志上。
??多年来一直从事砷化镓集成电路与微米、钠米技术研究,是该领域的专家和学术带头人。科研成果显著,多项科研成果获国家、省部级科技进步奖,其中:"DX083-3/一体化固态功率放大器"获国家科技进步二等奖和部级科技进步一等奖;"JGF353型9.0-9.8GHz场效应管单片集成放大器"获国家科技进步三等奖;"烽火一号"UHF25W故态功率放大器获部级科技进步二等奖;"CX631GaAs场效应晶体管"获部级科技进步二等奖等。
发表论文多篇,其中:"固态微小卫星的技术总体方案"、"21世纪初微电子技术发展展望"、"一种单片微波集成电路中心值设计方案"、"红外电子隧道传感器的现状及发展趋势"、"GaAs IC CAD发展现状与趋势"等论文分别发表在《中国国防科学技术报告》、《半导体情报》、《清华大学学报》、《仪器仪表学报》等杂志上。
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