从1,500,000教师库中查找(输入学校名称或教师姓名)
我要添加在此添加教师信息我要添加在此添加教师信息我要添加在此添加教师信息我要添加在此添加教师信息
按拼音查找大学老师
abc(ch)defghijklmnopqrs(sh)tuvwxyz(zh)
邢晓东
5.0我来评喜爱度
所在大学:南开大学
所在院系:物理学
所在地区:天津
所在城市:天津
评论次数:2条  我要评论
本页网址:http://teacher.cucdc.com/laoshi/2409398.html
邢晓东老师介绍
姓  名:邢晓东
职  称:讲 师
学  历:博 士
研究方向:量子材料与器件
办公电话:66229458
电子邮件:xingxd@nankai.edu.cn
个人简介:
2003.7-至今 南开大学泰达应用物理学院,任职讲师,从事半导体材料分子束外延生长与表征
2000.9-2003.7 天津大学电信学院微电子学与固体电子学专业,博士,研究方向为微波介质陶瓷材料与器件 1997.9-2000.3 天津大学材料学院材料学专业,硕士
1993.9-1997.7 天津大学材料学院材料学专业,学士
科研项目、成果、获奖、专利等情况:
从事半导体材料分子束外延生长与表征工作,生长出国内电子迁移率最高的AlGaAs/GaAs二维电子气HEMT半导体外延材料,77K电子迁移率为161000cm2/V?s,光照后的77K电子迁移率为230000 cm2/V?s,2K时电子迁移率达到1780000cm2/V?s。生长出外延层厚度为2.5μm以下的高质量InP/InP材料,电学性能为77K时电子迁移率47600cm2/V?s(磷的裂解温度为850℃),该结果是目前国际上已报道的MBE外延InP/InP材料最好结果,测试鉴定结果为Riber公司MBE Compact 21T型设备的历史最好水平。
撰写论文、专著、教材等:
(1)固态源MBE系统在生长InP后,生长高质量的调制掺杂GaAs材料的研究; Trans. Nonferrous Met. Soc. China, Vol.15 (2), 332-335 (2005)
(2)高电子迁移率InP/InP外延材料的MBE生长,半导体学报,Vol.36(8),(2005)
(3)固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和 InP/InP外延材料的兼容性研究,人工晶体学报,Vol.34(3),395-398 (2005)
(4)BaO-TiO2-Sm2O3系陶瓷结构与介电性能研究,压电与声光
(5)BNT系纳米粉体的制备及微波特性研究,电子科技大学学报
(6)BNTN系陶瓷的微波特性研究,压电与声光
邢晓东老师相关教学资源
邢晓东老师教学评价(2条)
v8midkbj8c 2017/11/20 13:14:39

邢晓东老师对别人非常抠门,刻薄,喜欢用公款组织吃饭

cucdc网友 2009/5/11 18:49:24

很好,解惑授业

沟通交流、共同成长。欢迎您参与评论留言!
邢晓东留言请在下面的评论框中输入您想说的话:)
我要评论(500字以内)
提示:请登录后提交!登录 快速注册
喜爱度: 我评
验证码: 验证码 换一个
更多>>同院系教师