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邢晓东老师介绍
姓 名：邢晓东
职 称：讲 师
学 历：博 士
研究方向：量子材料与器件
办公电话：66229458
电子邮件：xingxd@nankai.edu.cn
个人简介：
2003.7－至今 南开大学泰达应用物理学院，任职讲师,从事半导体材料分子束外延生长与表征
2000.9－2003.7 天津大学电信学院微电子学与固体电子学专业,博士,研究方向为微波介质陶瓷材料与器件 1997.9－2000.3 天津大学材料学院材料学专业,硕士
1993.9－1997.7 天津大学材料学院材料学专业,学士
科研项目、成果、获奖、专利等情况：
从事半导体材料分子束外延生长与表征工作，生长出国内电子迁移率最高的AlGaAs/GaAs二维电子气HEMT半导体外延材料，77K电子迁移率为161000cm2/V?s，光照后的77K电子迁移率为230000 cm2/V?s，2K时电子迁移率达到1780000cm2/V?s。生长出外延层厚度为2.5μm以下的高质量InP/InP材料，电学性能为77K时电子迁移率47600cm2/V?s（磷的裂解温度为850℃），该结果是目前国际上已报道的MBE外延InP/InP材料最好结果，测试鉴定结果为Riber公司MBE Compact 21T型设备的历史最好水平。
撰写论文、专著、教材等：
（1）固态源MBE系统在生长InP后，生长高质量的调制掺杂GaAs材料的研究； Trans. Nonferrous Met. Soc. China, Vol.15 (2), 332-335 (2005)
（2）高电子迁移率InP/InP外延材料的MBE生长，半导体学报，Vol.36(8)，(2005)
（3）固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和 InP/InP外延材料的兼容性研究，人工晶体学报，Vol.34(3),395-398 (2005)
（4）BaO-TiO2-Sm2O3系陶瓷结构与介电性能研究，压电与声光
（5）BNT系纳米粉体的制备及微波特性研究，电子科技大学学报
（6）BNTN系陶瓷的微波特性研究，压电与声光
职 称：讲 师
学 历：博 士
研究方向：量子材料与器件
办公电话：66229458
电子邮件：xingxd@nankai.edu.cn
个人简介：
2003.7－至今 南开大学泰达应用物理学院，任职讲师,从事半导体材料分子束外延生长与表征
2000.9－2003.7 天津大学电信学院微电子学与固体电子学专业,博士,研究方向为微波介质陶瓷材料与器件 1997.9－2000.3 天津大学材料学院材料学专业,硕士
1993.9－1997.7 天津大学材料学院材料学专业,学士
科研项目、成果、获奖、专利等情况：
从事半导体材料分子束外延生长与表征工作，生长出国内电子迁移率最高的AlGaAs/GaAs二维电子气HEMT半导体外延材料，77K电子迁移率为161000cm2/V?s，光照后的77K电子迁移率为230000 cm2/V?s，2K时电子迁移率达到1780000cm2/V?s。生长出外延层厚度为2.5μm以下的高质量InP/InP材料，电学性能为77K时电子迁移率47600cm2/V?s（磷的裂解温度为850℃），该结果是目前国际上已报道的MBE外延InP/InP材料最好结果，测试鉴定结果为Riber公司MBE Compact 21T型设备的历史最好水平。
撰写论文、专著、教材等：
（1）固态源MBE系统在生长InP后，生长高质量的调制掺杂GaAs材料的研究； Trans. Nonferrous Met. Soc. China, Vol.15 (2), 332-335 (2005)
（2）高电子迁移率InP/InP外延材料的MBE生长，半导体学报，Vol.36(8)，(2005)
（3）固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和 InP/InP外延材料的兼容性研究，人工晶体学报，Vol.34(3),395-398 (2005)
（4）BaO-TiO2-Sm2O3系陶瓷结构与介电性能研究，压电与声光
（5）BNT系纳米粉体的制备及微波特性研究，电子科技大学学报
（6）BNTN系陶瓷的微波特性研究，压电与声光
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