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韦世强老师介绍
韦世强
职 称： 博士、教授
电 话： 0551-3601997
传 真：
邮 箱： sqwei@ustc.edu.cn
网 站：
个人简介
韦世强，博士，教授，博士生导师，1998年度中国科学院“百人计划”获得者，男，1964年1月生。主要在同步辐射XAFS技术的建设和应用、物理和化学的交叉学科--表面物理和表面化学等领域从事研究工作。1992年5月获中国科学技术大学理学博士学位。1992年7月为中国科学技术大学基础物理中心博士后, 1994年7月晋升为副教授，1999年6月晋升为教授。1993年4月至1999年5月，为日本的高能物理研究所(KEK,PF)、电子技术总合研究所的博士后和客座研究员，曾多次被邀请到美国、意大利、德国、法国、加拿大等国家及Spring-8和Advanced Photon Source等著名的同步辐射实验室进行访问和合作研究，与国内外同行在学术上有广泛的合作和交流，并在国内外多个同步辐射加速器上开展过研究工作，取得许多有科学意义的研究成果。近年来，在Phys.Rev.B、J.Appl.Phys.、J.Phys.、Physica B、J. Non-crystalline solids、科学通报和物理学报等国内外杂志发表论文百余篇，SCI收录50多篇。
韦世强教授，1999年任我国同步辐射专业委员会委员，北京同步辐射实验室学术委员会委员。2000年任合肥国家同步辐射实验室学术委员会委员和学位委员会委员。
韦世强教授带领的科研小组正在承担中国科学院的“同步辐射XAFS技术的建设和应用及功能材料的合成”、国家自然科学基金委员会的“同步辐射技术研究表面熔化机理”、“掠入射荧光XAFS研究半导体量子体系的结构和性能”、“同步辐射方法研究非晶态合金的催化及失活机理”和中国科学技术大学一流大学重点项目“原位同步辐射技术研究半导体固-液相变的微观机理”等十多个研究项目。现指导的人员有博士后2人、博士研究生5人、硕士研究生5人和本科生10人。
主要研究方向：
一 XAFS方法的基本理论及数据分析
XAFS基本原理，单散射和多重散射理论
XAFS数据分析方法和发展
二 同步辐射XAFS技术的建设
XAFS光束线和实验站的建设
XAFS的探测方法(荧光和掠入射XAFS技术)
XAFS测试装置(原位高温和低温装置)
三 同步辐射XAFS方法在凝聚态物质结构研究中的应用
Ge-Si(GaSb, InSb)基量子体系材料的结构研究
高温和低温原位XAFS研究合金和半导体材料的结构
超细非晶态合金催化剂，溶液及生物样品
主要作品：
1 Local structures of (Ge4Si4)5 monolayer strained-layer supperlattice probed by fluorescence X-ray absorption fine structure.
Phys.Rev.B62, 1883(2000).
Shiqiang Wei, H. Oyanagi, K. Sakamoto, Y. Takeda, and T.P. Pearsall.
2 X-ray-absorption fine structure study on devitrification of ultrafine amorphous NiB alloy
Phys.Rev.B63, 224201(2001).
Shiqiang Wei, Hiroyuki Oyanagi, Zhongrui Li, Xinyi Zhang, Wenhan Liu,
Shilong Yin, and Xiaoguang Wang.
3 Local structure of liquid gallium studied by X-ray absorption fine structure.
J. non-Crystalline Solids, 275(3), 160(2000).
Shiqiang Wei, Hiroyuki Oyanagi, Wenhan Liu, Tiandou Hu, and Shilong Yin.
4 Surface morphological modification of Pt thin films induced by growth temperature.
Phys.Rev.B58, 3605(1998).
Shiqiang Wei, Boquan Li, Toshiyuki Fujimoto, and Isao Kojima.
5 Local structural of isovalent and hetrovalent dilute impurities in Si crystal probed by fluorescence x-ray absorption fine structure.
J.Appl.Phys. 82, 4810(1997).
Shiqiang Wei, Hiroyuki. Oyanagi, Kasuhisa Tamura, and Naurang L. Saini.
6 Formation of Ge nanocrystals embedded in a SiO[sub 2] matrix: Transmission electron microscopy, x-ray absorption, and optical studies
Phys. Rev. B 67, 195314 (2003) .
A. V. Kolobov，S. Q. Wei, W. S. Yan, H. Oyanagi, Y. Maeda, and K. Tanaka
职 称： 博士、教授
电 话： 0551-3601997
传 真：
邮 箱： sqwei@ustc.edu.cn
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个人简介
韦世强，博士，教授，博士生导师，1998年度中国科学院“百人计划”获得者，男，1964年1月生。主要在同步辐射XAFS技术的建设和应用、物理和化学的交叉学科--表面物理和表面化学等领域从事研究工作。1992年5月获中国科学技术大学理学博士学位。1992年7月为中国科学技术大学基础物理中心博士后, 1994年7月晋升为副教授，1999年6月晋升为教授。1993年4月至1999年5月，为日本的高能物理研究所(KEK,PF)、电子技术总合研究所的博士后和客座研究员，曾多次被邀请到美国、意大利、德国、法国、加拿大等国家及Spring-8和Advanced Photon Source等著名的同步辐射实验室进行访问和合作研究，与国内外同行在学术上有广泛的合作和交流，并在国内外多个同步辐射加速器上开展过研究工作，取得许多有科学意义的研究成果。近年来，在Phys.Rev.B、J.Appl.Phys.、J.Phys.、Physica B、J. Non-crystalline solids、科学通报和物理学报等国内外杂志发表论文百余篇，SCI收录50多篇。
韦世强教授，1999年任我国同步辐射专业委员会委员，北京同步辐射实验室学术委员会委员。2000年任合肥国家同步辐射实验室学术委员会委员和学位委员会委员。
韦世强教授带领的科研小组正在承担中国科学院的“同步辐射XAFS技术的建设和应用及功能材料的合成”、国家自然科学基金委员会的“同步辐射技术研究表面熔化机理”、“掠入射荧光XAFS研究半导体量子体系的结构和性能”、“同步辐射方法研究非晶态合金的催化及失活机理”和中国科学技术大学一流大学重点项目“原位同步辐射技术研究半导体固-液相变的微观机理”等十多个研究项目。现指导的人员有博士后2人、博士研究生5人、硕士研究生5人和本科生10人。
主要研究方向：
一 XAFS方法的基本理论及数据分析
XAFS基本原理，单散射和多重散射理论
XAFS数据分析方法和发展
二 同步辐射XAFS技术的建设
XAFS光束线和实验站的建设
XAFS的探测方法(荧光和掠入射XAFS技术)
XAFS测试装置(原位高温和低温装置)
三 同步辐射XAFS方法在凝聚态物质结构研究中的应用
Ge-Si(GaSb, InSb)基量子体系材料的结构研究
高温和低温原位XAFS研究合金和半导体材料的结构
超细非晶态合金催化剂，溶液及生物样品
主要作品：
1 Local structures of (Ge4Si4)5 monolayer strained-layer supperlattice probed by fluorescence X-ray absorption fine structure.
Phys.Rev.B62, 1883(2000).
Shiqiang Wei, H. Oyanagi, K. Sakamoto, Y. Takeda, and T.P. Pearsall.
2 X-ray-absorption fine structure study on devitrification of ultrafine amorphous NiB alloy
Phys.Rev.B63, 224201(2001).
Shiqiang Wei, Hiroyuki Oyanagi, Zhongrui Li, Xinyi Zhang, Wenhan Liu,
Shilong Yin, and Xiaoguang Wang.
3 Local structure of liquid gallium studied by X-ray absorption fine structure.
J. non-Crystalline Solids, 275(3), 160(2000).
Shiqiang Wei, Hiroyuki Oyanagi, Wenhan Liu, Tiandou Hu, and Shilong Yin.
4 Surface morphological modification of Pt thin films induced by growth temperature.
Phys.Rev.B58, 3605(1998).
Shiqiang Wei, Boquan Li, Toshiyuki Fujimoto, and Isao Kojima.
5 Local structural of isovalent and hetrovalent dilute impurities in Si crystal probed by fluorescence x-ray absorption fine structure.
J.Appl.Phys. 82, 4810(1997).
Shiqiang Wei, Hiroyuki. Oyanagi, Kasuhisa Tamura, and Naurang L. Saini.
6 Formation of Ge nanocrystals embedded in a SiO[sub 2] matrix: Transmission electron microscopy, x-ray absorption, and optical studies
Phys. Rev. B 67, 195314 (2003) .
A. V. Kolobov，S. Q. Wei, W. S. Yan, H. Oyanagi, Y. Maeda, and K. Tanaka
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