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钟志亲
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所在大学:电子科技大学
所在院系:微电子与固体电子学院
所在地区:四川
所在城市:成都
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钟志亲老师介绍
姓名 钟志亲 性别 女 出生年月 1980.01
最终学历 研究生 职称 讲师 电话 028-83207780
学位 博士 职务 传真 028-83207780
所在院系 微电子与固体电子学院 E-mail zzq@uestc.edu.cn
通信地址(邮编) 成都市建设北路二段4号(610054)
研究方向 微电子技术
教学情况 一、近五年来讲授的主要课程
1、“微电子器件”,专业课,4学时/周,1届,学生总人数约120人
2、“半导体物理”,专业课,4学时/周,讲授1届,学生总人数143人
3、博士期间当四川大学“半导体物理”助教,学生总人数约260人
二、承担的实践性教学
1、指导本科生毕业设计,今年学生总人数5人
2、研究生期间指导四川大学“超大规模平面工艺实验”,学生人数约160人
三、参与的教学课题
MIT开放式课件的翻译项目,主要负责《微电子工艺》和《应用固体物理》两门课程
学术研究 一、近五年来承担的学术研究课题
1、用深能级瞬态谱和光致发光光谱对6H-SiC辐照缺陷的研究,香港政府资助项目RGC CERG, HKSAR (project no.: 7033/05P)和国家自然科学基金项目((No.60076010))项目主要参与人;
2、LF494晶体管的研制,横向课题,项目组成员
3、GaAs干法刻蚀技术研究,预言项目,主要负责人
二、在国内外公开发行刊物上发表的学术论文
1、Primary Photoluminescence in as-Neutron/Electron Irradiated n-type 6H-SiC, Journal of Applied Physics,2006(第一作者)
2、Photoluminescence of electron- and neutron-irradiated n-type 6H-SiC, Chinese Journal of Semiconductor, 2006(第一作者)
3、红外反射法研究6H-SiC表面热氧化生长的SiO2特性,光散射学报,2004(第一作者)
4、n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应,光散射学报,2006(第三作者)
5、n-GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照效应, 半导体光电,2005(第三作者)
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