姓　　名： 敖建平
性　　别： 女
所属部门： 光电子薄膜器件与技术研究所
行政职务：
职　　称： 教授
学　　历： 博士
所学专业： 微电子学与固体电子学
办公电话： 23497012（O）、23508572（O）
电子邮件： aojp@nankai.edu.cn
研究方向： 化合物半导体薄膜材料与器件、能源材料物理与化学
个人简介： 1961年1月出生于江西省高安县，1978.10～1984.12月在北京航空学院材料系金属腐蚀与防护专业读本科和研究生，获硕士学位；1985年1月毕业分配到南昌航空工业学院金属腐蚀与防护专业从事教学与科研工作，1995年晋升副教授，2000年晋升为教授。曾获航空总公司部级科技进步三等奖，“航空工业十佳优秀教师”称号。2003年7月调入南开大学信息技术学院光电子所，参加国家863重点项目“铜铟硒太阳能薄膜电池试验平台与中试线”课题的研究。
科研项目、成果、获奖、专利等情况： 主持过“电化学沉积CdS/CIS太阳能电池化合物薄膜技术研究”、“低成本水浴法沉积CuInSe2太阳能电池薄膜技术的研究”等五项省部级基金课题及“热喷涂耐高温涂层研究”等十几项企业横向项目的研究。目前主持国家863项目“非真空法沉积CIGS薄膜关健技术及电池研究”。
撰写论文、专著、教材等： 1. 敖建平，孙国忠，闫礼等??. 一步法电化学沉积CuInGaSe2薄膜的研究. 物理化学学报.2008, 24(6)：1073-1079
2. 李微，敖建平，何青等. 衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响. 物理学报. 2007，56(8): 5009~5012
3. 敖建平，孙云，王晓玲等. 共蒸发三步法制备的CIGS薄膜性质，半导体学报，2006.27(8),p120
4. 敖建平，孙云, 刘琪等. CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能，太阳能学报，2006.27(7),p682
5. 敖建平，何青，孙国忠等. 化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质的研究，半导体学报，2005.26(7),p1347
6. 敖建平、孙国忠. 我国太阳电池研究和产业现状分析. 太阳能. 2003年第2期
讲授课程： 电化学原理（本科生、研究生）、材料的应力腐蚀及氢损伤、奇妙的材料世界