姓名:刘爱民
办公室电话:0411 84707865-602
电子邮箱地址:pv_lab@dlut.edu.cn
主要学历及工作经历:
1986.9-1990.7：兰州大学物理系学习，获学士学位。
1990.9-1993.7：兰州大学物理系学习，凝聚态专业硕士学位。化学气相沉积技术制备金刚石薄膜。
1993.9-1997.1：中国科学院半导体研究所,半导体材料与器件专业工学博士学位。GaAs/GaSb高效叠层太阳能电池的制备与分析。
1997.1-1999.1：以色列特拉维夫大学电子工程系，博士后。光伏材料与器件中的载流子复合动力学研究。
1999.3-2000.3：日本北海道大学量子界面研究中心工作,从事半导体表面与界面的表征工作。
2000.3-2002.4：新西兰坎特伯雷大学工作，从事半导体材料的制备与光电表征工作。
2002.4-现在，　 大连理工大学物理与光电工程学院工作，任职教授。大连理工大学太阳能电池研究所所长，锦州阳光能源-大连理工大学太阳能研发中心主任。
http://pv.dlut.edu.cn
研究领域（研究课题）:
主要研究方向：光伏材料与器件的制备与表征。主持国家自然科学基金、教育部留学回国人员研究基金、辽宁省自然科学基金、国防重大基金、企业重大技术攻关等课题。主要研究领域（1）硅基太阳能电池的生产技术研究；（2）GaSb热光伏电池与系统；（3）光伏材料与器件的表征与分析。
指导硕、博士生研究方向:
低价体硅太阳能电池的制备技术，硅基薄膜太阳能电池，热光伏电池，半导体材料与器件的表征技术（包括电流电压和电容电压技术，阻抗谱技术，基于kelvin探针的表面光伏谱技术等）
出版著作和论文:
翻译（合译）：《半导体材料与器件表征技术》，大连理工大学出版社，2008年6月。
论文发表：
1.Fen Qiao , Aimin Liu , Yi Xiao , Yang Ping Ou , Ji quan Zhang , Yong chang Sang，Enhanced photovoltaic characteristics of solar cells based on n-type triphenodioxazine derivative，Microelectronics Journal（in press）
2.Zhankun weng, Aimin Liu, Yanhong Liu, Zengquang Hu, Formation of ZnO Thin Film on n-InP(100) by Electrochemical Deposition， Chinese Journal of Luminescence，29，283（2008）
3.ZhanKun Weng, Aimin Liu,Yanhong Liu, Feng Xu, Guoqing Li,Xiaojuan Sun, Fabrication of microrods and microtips of InP by electrochemical etching, Applied surafce science,253(2007)5133-5136
4.ZhanKun Weng, Aimin Liu,Yanhong Liu, Huijing Luo, Feng Xu, Xiuping Liang and Guotong Du,　Formation of porous InP by cathodic decomposition, Microelectronics Journal, 38, 1191(2007)
5.Aimin Liu and Changkui Duan, Anomalous temperature dependent photoluminescence behavior in porous InP treated by H plasma, J. of Luminescence 99(107)2002
6.徐峰，刘爱民，罗慧晶，翁占坤，用于热光伏发电的发射体材料的研究进展，功能材料（增），37,373(2006）
7.罗慧晶，刘爱民，徐峰，翁占坤，GaSb中Zn扩散的实验与理论研究进展，功能材料（增），37,315（2006）
8.李国庆 刘爱民 潘萌 杜晓书 郭凡， 电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列, 功能材料(增)，35,321(2004)
9.王东盛 吴萃婷 刘爱民， 低电压并五苯晶体管的制备，功能材料（增），35，382（2004）
10.Aimin Liu and Changkui Duan, Formation and Raman scattering of uniform and straight pore arrays on InP (100), Physica E 9, 723(2001)
11.Aimin Liu, Changkui Duan, Radiative recombination and filling effects of surface states in porous InP, Appl. Phys. Lett. 43, 78(2001)
12.Aimin Liu and Changkui Duan, Temperature dependent photoluminescence in porous InP, Solid State Electronics, 45, 2089(2001)
13.Aimin Liu, Microstructure and Photoluminescence spectra of porous InP, Nanotechnology 12, L1-3(2001)
14.H. Fujikura, A. Liu, A. Hamamatsu, T. Sato and H. Hasegawa, Electrochemical formation of uniform and straight nano-pore arrays on (001) InP surfaces and their photoluminescence characterizations, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 4616 (2000).
15.A. Liu and Y. Rosenwaks, Carrier recombination in InP single crystals: radiative versus nonradiative recombination, J. Appl. Phys. 86, 430(1999)
16.R. Cohen and V. Lyahovitskaya, E. Poles, A. Liu and Y. Rosenwaks, Unusually low surface recombination and ultralong bulk lifetime in n-CdTe, Appl. Phys. Lett. 73, 1400(1998)
17.R. Cohen, L. Kronik, A. Shanzer, D. Cahen, A. Liu, Y. Rosenwaks, J. K. Lorenz, and A. B. Ellis, Molecular control over semiconductor surface electronic properties: dicarboxylic acids on CdTe, CdSe, GaAs, and InP, J. Am. Chem. Soc., 121 10545-10553 (1999).
在读硕士、博士人数:
15
已毕业硕士博士人数:
7
以上资料最后修改时间:
2008-6-30