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王占国老师介绍
王占国
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男，1938年12月生，半导体材料及材料物理学家。1962年毕业于南开大学物理系，同年到中国科学院半导体所工作。曾任中科院半导体所副所长，国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长。现任中国科学院半导体所研究员、半导体材料科学重点实验室学委会主任、中国电子学会半导体和集成技术分会主任、中国材料研究学会副理事长、国家自然科学基金重大研究计划"光电信息功能材料"专家组副组长、北京市人民政府第八届专家顾问团顾问、天津市人民政府特聘专家和多个国际会议顾问委员会委员以及多所高校特聘和兼职教授。1995年当选为中国科学院院士。
长期从事半导体材料和材料物理研究。其中，人造卫星用硅太阳电池辐照效应和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照实验结果，为我国的两弹一星事业发展做出了贡献。在半导体深能级物理和光谱物理研究方面取得多项国际先进水平的成果。近年来，他和他的同事又在半导体低维结构（超晶格、量子点、量子线等）材料生长、性质和量子器件研制方面获得进展。上述成果先后获国家自然科学二等奖和国家科技进步三等奖, 中国科学院自然科学一等奖和中国科学院科技进步一、二和三等奖以及何梁何利科学与技术进步奖多项，与合作者一起在国际著名学术刊物发表论文180余篇；先后培养硕士、博士和博士后近百名。
研究方向：半导体低维结构材料生长、性质和量子器件应用；宽禁带半导体材料、器件及物理；有机/无机复合半导体材料与器件研究；大失配异质外延柔性衬底理论与制备技术等。
完成/在研主要项目
1. 国家重点基础研究发展规划（973）项目"信息功能材料相关基础问题"首席科学家，2000年10月～2005年9月
2. 中国科学院知识创新重大项目"纳米科学与技术"课题"半导体纳米结构材料、器件和物理研究"负责人，2001年6月～2003年10月
3. 国家重点基础研究发展规划（973）项目"半导体光电信息功能材料相关基础问?quot;04课题"应变自组织量子点、量子线材料的可控生长和器件应用"负责人，2006年9月～2011年9月。
4. 国家自然科学基金重大研究计划"光电信息功能材料"软课题"光电信息功能结构材料和器件"负责人，2007年6月－2007年12月。
代表性论著：
1、"中国材料工程大典" "信息功能材料工程" 第十一卷、第十二卷和第十三卷 主编：王占国 陈立泉 屠海令 化学工业出版社， 2006年3月第一版。
2、"纳米半导体技术" 王占国 陈涌海 叶小玲 化学工业出版社， 2006年4月第一版。
代表性论文：
1. Z.G.Wang, L-A.Ledebo and H.G.Grimmeiss；Electronic Properties of Native Deep Level Defects in LPE GaAs； J. of Phys., C: Solid State Phys., 17, 259(1984).
2. Z.G.Wang，H.G.Gislason and B.Monemar；Acceptor Associates and Bound Excitons in GaAs:Cu； J. Appl. Phys., 58, 230(1985).
3. Z.G.Wang, C.J.Li, F.N.Cao,L.Y.Lin etal；Electrial Characteristics of GaAs Grown from the Melt in a Reduced Gravity Environment； J.Appl., Phys., 67,1521 (1990)
4. Ren.Guangbao, Wang Zhanguo（Z.G.Wang） etal；Thcoretical Investigation of the Dynamic Process of the Illumination of GaAs; Phys. Rev. B50, 5189(1994).
5 Lianshan Wang, Xiaoglin Liu, Yude Zan, Du Wang, Jun Wang, Dacheng Lu and Zhanguo Wang（Z.G.Wang）；Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001)substrate using g -Al2O3 as an intermediate layer. Appl. Phys. Lett., 72,109(1998).
6. Hanxuan Li, Ju Wu, Zhanguo Wang（Z.G.Wang）et.al., High-density InAs nanowires realized in situ on (100) InP. Appl. Phys. Lett., 75, 1173(1999)
7. Wang Zhanguo（Z.G.Wang）, Chen Yonghai, Liu Fengqi and Wu Ju, Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers, J. of Crystal Growth 227-228, 1132 (2001)
8. H. Y. Liu, B. Xu, Z. G. Wang etal; Room-temperature, ground-state lasing for red-emitting vertically aligned InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on a GaAs(100) substrate. Appl.Phys.Lett, 80(20) 3769 (2002)
9 Wang Z.G, Wu J, Semiconductor nanometer structures and devices, Journal of the Korean Physical Society 45, S877-S880 (2004)
10 Sun Z.Z, Yoon S.F, Wu J, Wang Z.G, Size self-scaling effect in stacked InAs/InAlAs nanowire multilayers, Appl.Phys.Lett, 85 (21): 5061-5063 NOV 22 (2004)
11 Zhang Z.Y, Wang Z.G, Xu B, Jin P, Sun Z.Z, Liu F.Q, High-performance quantum-dot superluminescent diodes, IEEE Photonics Technology Letters 16 (1): 27-29 JAN (2004)
12．C.L.Zhang, Z.G.Wang Y.H.Chen et al, Site controlling of InAs quantum wires on cleaved edge of AlGaAs/GaAs superlattice, Nanotechnology 16 (8), 1379 (2005)
13. Peng Jin, X. L. Ye and Z. G. Wang, "Growth of low-density InAs/GaAs uantum dots on a substrate with an intentional temperature gradient by molecular beam epitaxy", Nanotechnology 16(12), 2775-2778 (2005).
14 Peng,W.Q; Qu,S.C;Cong,G.W; Wang,Z.G；Synthesis and temperature-dependent near-band-edge emission of chain-like Mg-doped ZnO nanoparticles；Appl.Phys.Lett, 88 (10): Art. No. 101902 MAR 6 2006
姓 名: 王占国
所在院系: 物理科学学院
招生专业: 凝聚态物理
主要职务: 半导体和绝缘体材料，缺陷识别、成像和物理等6个国际会议顾问委员会委员；
2002年国际电子材料会议副主席和学术委员会主席；
中国材料学会常务理事；
中国电子学会高级会员；
北京市人民政府第八届专家顾问团顾问等
简 历: 1962-1980年 中科院半导体所 课题负责人
1980-1983年 瑞典，隆德大学固体物理系 访问学者
1988-1991年 瑞典，隆德大学固体物理系 访问教授
1986-1990年 中科院半导体材料科研究室 主任 研究员，博导
1990-1994年 中科院半导体研究所 副所长
1994.6-1994.7 英国Surry大学 电气工程系 访问教授
1992.5-1995.5 南京大学, 北京师范大学 兼职教授
1992 任北大、清华等六个国家和部门开放实验室学术委员
1995年 当选为中科院院士，技术学部常委
1990.5-2002.5 中科院半导体材料科学实验室 主任
1997.5 大连理工大学，河北大学 兼职教授
1998年 任第七届国际化学束外延会议顾问委员会委员。
2000.10 西安交通大学、南开大学等 兼职教授
2001.5 南开大学 讲座教授
研究方向:
半导体材料及材料物理
低维（二维量子阱、一维量子线和零维量子点）半导体结构材料、性质和量子器件等。
研究成果: Self-organized type-II InGaAs/AlGaAs quantum dots realized on GaAs(311)A
2000年 Appl. Phys. Lett.
Temperature dependence of photoluminescence of an nipi GaAs superlattice
2000年 Phys. Rev. B
Optical properties of InAs self-organized quantum dots in nipi GaAs superlattice
2000年Appl. Phys. Lett.
High-power and long-lifetime InAs/GaAs quantum-dot laser at 1080nm
2001年 Appl. Phys. Lett.
Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers 2001年 J. Crystal Growth
Room-temperature, round-state lasing for red-emitting vertically aligned InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on a GaAs(100) substrate, 2002年 Appl. Phys. Lett.
获奖情况: 应变自组装量子点材料和器件应用 2001 国家自然科学二等奖 科技部 排名第一
应变自组装量子点材料和器件应用 2000 待中科院科技进步一等奖 排名第一
GaAs材料、器件与电路 1997 中科院科技进步二等奖 排名第二
科学与技术进步奖 2001 何梁何利科学与技术进步奖 个人
联系方式: 电话:010-82304250 Email:zgwang@red.semi.ac.cn
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男，1938年12月生，半导体材料及材料物理学家。1962年毕业于南开大学物理系，同年到中国科学院半导体所工作。曾任中科院半导体所副所长，国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长。现任中国科学院半导体所研究员、半导体材料科学重点实验室学委会主任、中国电子学会半导体和集成技术分会主任、中国材料研究学会副理事长、国家自然科学基金重大研究计划"光电信息功能材料"专家组副组长、北京市人民政府第八届专家顾问团顾问、天津市人民政府特聘专家和多个国际会议顾问委员会委员以及多所高校特聘和兼职教授。1995年当选为中国科学院院士。
长期从事半导体材料和材料物理研究。其中，人造卫星用硅太阳电池辐照效应和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照实验结果，为我国的两弹一星事业发展做出了贡献。在半导体深能级物理和光谱物理研究方面取得多项国际先进水平的成果。近年来，他和他的同事又在半导体低维结构（超晶格、量子点、量子线等）材料生长、性质和量子器件研制方面获得进展。上述成果先后获国家自然科学二等奖和国家科技进步三等奖, 中国科学院自然科学一等奖和中国科学院科技进步一、二和三等奖以及何梁何利科学与技术进步奖多项，与合作者一起在国际著名学术刊物发表论文180余篇；先后培养硕士、博士和博士后近百名。
研究方向：半导体低维结构材料生长、性质和量子器件应用；宽禁带半导体材料、器件及物理；有机/无机复合半导体材料与器件研究；大失配异质外延柔性衬底理论与制备技术等。
完成/在研主要项目
1. 国家重点基础研究发展规划（973）项目"信息功能材料相关基础问题"首席科学家，2000年10月～2005年9月
2. 中国科学院知识创新重大项目"纳米科学与技术"课题"半导体纳米结构材料、器件和物理研究"负责人，2001年6月～2003年10月
3. 国家重点基础研究发展规划（973）项目"半导体光电信息功能材料相关基础问?quot;04课题"应变自组织量子点、量子线材料的可控生长和器件应用"负责人，2006年9月～2011年9月。
4. 国家自然科学基金重大研究计划"光电信息功能材料"软课题"光电信息功能结构材料和器件"负责人，2007年6月－2007年12月。
代表性论著：
1、"中国材料工程大典" "信息功能材料工程" 第十一卷、第十二卷和第十三卷 主编：王占国 陈立泉 屠海令 化学工业出版社， 2006年3月第一版。
2、"纳米半导体技术" 王占国 陈涌海 叶小玲 化学工业出版社， 2006年4月第一版。
代表性论文：
1. Z.G.Wang, L-A.Ledebo and H.G.Grimmeiss；Electronic Properties of Native Deep Level Defects in LPE GaAs； J. of Phys., C: Solid State Phys., 17, 259(1984).
2. Z.G.Wang，H.G.Gislason and B.Monemar；Acceptor Associates and Bound Excitons in GaAs:Cu； J. Appl. Phys., 58, 230(1985).
3. Z.G.Wang, C.J.Li, F.N.Cao,L.Y.Lin etal；Electrial Characteristics of GaAs Grown from the Melt in a Reduced Gravity Environment； J.Appl., Phys., 67,1521 (1990)
4. Ren.Guangbao, Wang Zhanguo（Z.G.Wang） etal；Thcoretical Investigation of the Dynamic Process of the Illumination of GaAs; Phys. Rev. B50, 5189(1994).
5 Lianshan Wang, Xiaoglin Liu, Yude Zan, Du Wang, Jun Wang, Dacheng Lu and Zhanguo Wang（Z.G.Wang）；Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001)substrate using g -Al2O3 as an intermediate layer. Appl. Phys. Lett., 72,109(1998).
6. Hanxuan Li, Ju Wu, Zhanguo Wang（Z.G.Wang）et.al., High-density InAs nanowires realized in situ on (100) InP. Appl. Phys. Lett., 75, 1173(1999)
7. Wang Zhanguo（Z.G.Wang）, Chen Yonghai, Liu Fengqi and Wu Ju, Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers, J. of Crystal Growth 227-228, 1132 (2001)
8. H. Y. Liu, B. Xu, Z. G. Wang etal; Room-temperature, ground-state lasing for red-emitting vertically aligned InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on a GaAs(100) substrate. Appl.Phys.Lett, 80(20) 3769 (2002)
9 Wang Z.G, Wu J, Semiconductor nanometer structures and devices, Journal of the Korean Physical Society 45, S877-S880 (2004)
10 Sun Z.Z, Yoon S.F, Wu J, Wang Z.G, Size self-scaling effect in stacked InAs/InAlAs nanowire multilayers, Appl.Phys.Lett, 85 (21): 5061-5063 NOV 22 (2004)
11 Zhang Z.Y, Wang Z.G, Xu B, Jin P, Sun Z.Z, Liu F.Q, High-performance quantum-dot superluminescent diodes, IEEE Photonics Technology Letters 16 (1): 27-29 JAN (2004)
12．C.L.Zhang, Z.G.Wang Y.H.Chen et al, Site controlling of InAs quantum wires on cleaved edge of AlGaAs/GaAs superlattice, Nanotechnology 16 (8), 1379 (2005)
13. Peng Jin, X. L. Ye and Z. G. Wang, "Growth of low-density InAs/GaAs uantum dots on a substrate with an intentional temperature gradient by molecular beam epitaxy", Nanotechnology 16(12), 2775-2778 (2005).
14 Peng,W.Q; Qu,S.C;Cong,G.W; Wang,Z.G；Synthesis and temperature-dependent near-band-edge emission of chain-like Mg-doped ZnO nanoparticles；Appl.Phys.Lett, 88 (10): Art. No. 101902 MAR 6 2006
姓 名: 王占国
所在院系: 物理科学学院
招生专业: 凝聚态物理
主要职务: 半导体和绝缘体材料，缺陷识别、成像和物理等6个国际会议顾问委员会委员；
2002年国际电子材料会议副主席和学术委员会主席；
中国材料学会常务理事；
中国电子学会高级会员；
北京市人民政府第八届专家顾问团顾问等
简 历: 1962-1980年 中科院半导体所 课题负责人
1980-1983年 瑞典，隆德大学固体物理系 访问学者
1988-1991年 瑞典，隆德大学固体物理系 访问教授
1986-1990年 中科院半导体材料科研究室 主任 研究员，博导
1990-1994年 中科院半导体研究所 副所长
1994.6-1994.7 英国Surry大学 电气工程系 访问教授
1992.5-1995.5 南京大学, 北京师范大学 兼职教授
1992 任北大、清华等六个国家和部门开放实验室学术委员
1995年 当选为中科院院士，技术学部常委
1990.5-2002.5 中科院半导体材料科学实验室 主任
1997.5 大连理工大学，河北大学 兼职教授
1998年 任第七届国际化学束外延会议顾问委员会委员。
2000.10 西安交通大学、南开大学等 兼职教授
2001.5 南开大学 讲座教授
研究方向:
半导体材料及材料物理
低维（二维量子阱、一维量子线和零维量子点）半导体结构材料、性质和量子器件等。
研究成果: Self-organized type-II InGaAs/AlGaAs quantum dots realized on GaAs(311)A
2000年 Appl. Phys. Lett.
Temperature dependence of photoluminescence of an nipi GaAs superlattice
2000年 Phys. Rev. B
Optical properties of InAs self-organized quantum dots in nipi GaAs superlattice
2000年Appl. Phys. Lett.
High-power and long-lifetime InAs/GaAs quantum-dot laser at 1080nm
2001年 Appl. Phys. Lett.
Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers 2001年 J. Crystal Growth
Room-temperature, round-state lasing for red-emitting vertically aligned InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on a GaAs(100) substrate, 2002年 Appl. Phys. Lett.
获奖情况: 应变自组装量子点材料和器件应用 2001 国家自然科学二等奖 科技部 排名第一
应变自组装量子点材料和器件应用 2000 待中科院科技进步一等奖 排名第一
GaAs材料、器件与电路 1997 中科院科技进步二等奖 排名第二
科学与技术进步奖 2001 何梁何利科学与技术进步奖 个人
联系方式: 电话:010-82304250 Email:zgwang@red.semi.ac.cn
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