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张贤鹏老师介绍
张贤鹏
博士，博士后。
个人简历：
2002年6月 毕业于清华大学电子工程系物理电子与光电子专业，获工学学士学位；
2008年6月 毕业于清华大学电子工程系电子科学与技术专业，获工学博士学位；其间从事氮化镓（gallium nitride，GaN）基半导体器件制作工艺及光学系统设计研究，作为科研骨干参与过国家高技术研究发展计划“863”项目、北京市科委重大计划等项目，发表EI收录论文5篇，申请国家发明专利2项。
2008年8月至今 在中国科学院宁波材料技术与工程研究所从事博士后工作，挂靠单位为中国科学院上海微系统与信息技术研究所（简称上海微系统所），合作导师为宋伟杰研究员（宁波材料所）、俞跃辉研究员（上海微系统所），从事氧化锌(zinc oxide, ZnO)基透明导电薄膜制备及应用研究。
目前研究方向：
氧化锌（ZnO）基透明导电薄膜制备及应用研究。
已发表论文及专利：
1. 张贤鹏，韩彦军，罗毅等，退火对ICP刻蚀含AlGaN层GaN基LED材料表面特性的影响，光电子·激光，2006年增刊，50~52
2. 罗毅，张贤鹏，韩彦军等，半导体照明关键技术研究，激光与光电子学进展，第44卷第3期(2007):17~28
3. Zhang Xian-Peng, Han Yan-Jun, Luo Yi, et al., The design and fabrication of nanostructure on p-type GaN surface for GaN-based LEDs with high light extraction efficiency, Nano-Optoelectronics Workshop, 2007. i-NOW ‘07. International, July 29 2007-Aug. 11 2007 Page(s):194~195
4. 张贤鹏，韩彦军，罗毅等，ICP刻蚀p-GaN表面微结构GaN基蓝光LED，半导体光电，第29卷第1期(2008):6~9+15
5. 罗毅，张贤鹏，王霖等，半导体照明中的非成像光学及其应用，中国激光，第35卷第7期（2008）：963~971
6. 中国发明专利（中国专利申请号No. 200810102507.2 and 200810104199.7）
联系方式：
博士，博士后。
个人简历：
2002年6月 毕业于清华大学电子工程系物理电子与光电子专业，获工学学士学位；
2008年6月 毕业于清华大学电子工程系电子科学与技术专业，获工学博士学位；其间从事氮化镓（gallium nitride，GaN）基半导体器件制作工艺及光学系统设计研究，作为科研骨干参与过国家高技术研究发展计划“863”项目、北京市科委重大计划等项目，发表EI收录论文5篇，申请国家发明专利2项。
2008年8月至今 在中国科学院宁波材料技术与工程研究所从事博士后工作，挂靠单位为中国科学院上海微系统与信息技术研究所（简称上海微系统所），合作导师为宋伟杰研究员（宁波材料所）、俞跃辉研究员（上海微系统所），从事氧化锌(zinc oxide, ZnO)基透明导电薄膜制备及应用研究。
目前研究方向：
氧化锌（ZnO）基透明导电薄膜制备及应用研究。
已发表论文及专利：
1. 张贤鹏，韩彦军，罗毅等，退火对ICP刻蚀含AlGaN层GaN基LED材料表面特性的影响，光电子·激光，2006年增刊，50~52
2. 罗毅，张贤鹏，韩彦军等，半导体照明关键技术研究，激光与光电子学进展，第44卷第3期(2007):17~28
3. Zhang Xian-Peng, Han Yan-Jun, Luo Yi, et al., The design and fabrication of nanostructure on p-type GaN surface for GaN-based LEDs with high light extraction efficiency, Nano-Optoelectronics Workshop, 2007. i-NOW ‘07. International, July 29 2007-Aug. 11 2007 Page(s):194~195
4. 张贤鹏，韩彦军，罗毅等，ICP刻蚀p-GaN表面微结构GaN基蓝光LED，半导体光电，第29卷第1期(2008):6~9+15
5. 罗毅，张贤鹏，王霖等，半导体照明中的非成像光学及其应用，中国激光，第35卷第7期（2008）：963~971
6. 中国发明专利（中国专利申请号No. 200810102507.2 and 200810104199.7）
联系方式：
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