材料学工学博士，中国电子学会高级会员，中国有色金属学会会员。截止2008年底，主持国家自然科学基金1项，校级博士启动基金1项，横向项目5项；参与国家863、国家自然科学基金，北京市教委项目共4项，参与横向项目1项。目前主要从事军、民用微波器件用阴极材料研发工作，主要围绕含钪扩散热电子发射阴极材料、稀土钼二次电子发射阴极材料的性能、机理和应用展开工作。目前与韩国首尔国立大学、清华大学加速器实验室、中电集团12所、成都电子科技大学、北京有研亿金股份有限公司、国营4404厂有合作协议。在稀土钼二次电子发射阴极的工艺及机理研究取得突破，成果成功应用于某型号军用磁控管用中。该类型阴极成果在2006年一次通过以才鸿年院士为首的专家组的成果鉴定，鉴定结论为：“新型阴极材料属于国内外首创，其综合性能达到国际领先水平。” 该成果获得2007年度国防科工委技术发明二等奖一项，本人排名第三。在含钪扩散热电子发射阴极研究中，制备出亚微米结构的钪钨基阴极，送美国斯坦福大学线性加速器中心进行测试，美方评价为：“该阴极在支取100A/cm2的发射电流密度条件下工作500小时以上没有任何问题。…，”随后又制备出新型压制型含钪扩散阴极材料，发射性能达到世界最好水平，该新型阴极已申请国家发明专利和美国发明专利。同时，基于以上两种含钪扩散阴极，研发出可用于THz器件的具有高电流密度的带状电子束制备技术，申请了美国临时专利，并与韩国首尔国立大学及成都电子科技大学签订合作协议。