姓名:马春雨
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主要学历及工作经历:
1991.9-1995.7 东北大学 材料科学与工程系，工学学士；
1995.7-1999.9 抚顺特殊钢股份有限公司技术中心，从事技术开发工作；
1999.9-2002.3　东北大学 材料与冶金学院，工学硕士；
2002.3-2006.1　大连理工大学 三束材料改性国家重点实验室，工学博士；
2006.1- 至今 大连理工大学 三束材料改性国家重点实验室，教师；
2006.11-2007.10　法国 贝尔福-蒙贝利亚尔技术大学，从事博士后研究工作。
研究领域（研究课题）:
研究领域：主要研究离子束辅助沉积、等离子体薄膜合成和离子束薄膜合成的实验方法、制备技术以及薄膜的微观状态和宏观性能。目前主要从事介电薄膜材料和电解质薄膜的研究工作。
研究课题：反应活性等离子体对功能薄膜的生长行为和薄膜质量的影响，国家自然科学基金项目，项目负责人，25万元；
高k-ZrO2基薄膜制备工艺、生长特性和热学稳定性的研究，大连理工大学优秀博士毕业生科研资助项目，项目负责人，1万元。
指导硕、博士生研究方向:
1.等离子体合成功能薄膜
2.载能束合成薄膜及改性
出版著作和论文:
发表论文：
1.C.Y.Ma, F.Lapostolle, P.Briois, Q.Y.Zhang,　Effect of O2 gas partial pressure on structures and dielectric characteristics of rf sputtered ZrO2 thin films, Applied Surface Science 253 (2007) 8718–8724. SCI、EI收录 影响因子：1.43
2.C.W.Sun, P.Xin, C.Y.Ma, Z.W.Liu, Q.Y.Zhang, Optical and electrical properties of Zn1-xZdxO films grown on Si substrates by reactive-frequency magnetron sputtering, Applied Physics letters 89 (2006) 181923. SCI、EI收录 影响因子：4.12
3.马春雨, 李智, 张庆瑜, 沉积工艺对高k栅介质ZrO2薄膜生长行为的影响, 无机材料学报, 2007, 22（4）, 742-748. SCI、EI收录 影响因子：0.377
4.马春雨, 李智, 张庆瑜, 反应溅射法制备铝掺杂氧化锆薄膜及其热稳定性的研究, 无机材料学报, 2007, 22（6）, 1206-1210. SCI、EI收录 影响因子：0.377
5.马春雨, 张庆瑜, 沉积温度对ZrO2薄膜结构及表面形貌的影响, 真空科学与技术学报, 2006, 9, 12-16. EI收录.
6.马春雨, 李智, 李勇, 张庆瑜, 氧分压对磁控溅射ZrO2薄膜生长特性的影响, 功能材料与器件学报, 2004, 10, 145-150. EI收录.
7.马春雨, 李智, 张庆瑜, 反应射频磁控溅射制备高k氧化锆薄膜及介电性能的研究, 功能材料, 2004, 35, 453-456. EI收录.
8.马春雨, 李智, 张庆瑜, 二氧化锆栅介质薄膜光学及电学特性研究, 功能材料, 2004, 35, 491-494. EI收录.
9.马春雨, 陈充林, 张庆瑜, 高k栅介质薄膜研究进展, 真空科学与技术学报, 2004, 12, 28-32. EI收录.
以上资料最后修改时间:
2007-8-29