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皮彪老师介绍
姓 名：皮彪
职 称：高级工程师（副高）
学 位： 博士
研究方向：半导体材料与器件
办公电话： +86 022 66229458
电子邮件：pib@tedamail.nankai.edu.cn
个人简介：
皮彪，男，汉族，生于1967年7月，黑龙江省鹤岗市人。
主要教育及工作经历如下：
2007.7－至今 南开大学泰达应用物理学院，高级工程师
2004.9－2007.7 南开大学,博士
1999.7－2003.7 西北稀有金属材料研究院,高级工程师
1996.9－1999.7 西安理工大学,硕士
1989.7－1996.9 西北稀有金属材料研究院,工程师
1985.9－1989.7 西安理工大学,学士
科研项目、成果、获奖、专利等情况：
获中国有色金属工业总公司科技进步一等奖（1996年）
撰写论文、专著、教材等（有代表性的或者近5年发表的）：
1、Biao Pi, Yongchun Shu, Yaowang Lin, Jiaming Sun, Shengchun Qu, Jianghong Yao, Xiaodong Xing, Bo Xu , Qiang Shu, Zhanguo Wang, Jingjun Xu，Morphological and electrical properties of InP grown by solid source molecular beam epitaxy, J. Cryst. Growth, 299， 243-247(2007).
2、PI Biao, SUN Jia-ming, LIN Yao-wang, YAO Jiang-hong, XING Xiao-dong, CAI Ying,SHU Qiang, JIA Guo-zhi,LIU Ru-bin, LI Dan, WANG Zhan-guo, Unstable growth in InP homoepitaxy:Mound formation, 人工晶体学报, Vol.36(2): 263-266 (2007).
3、Biao Pi, Yongchun Shu, Yaowang Lin, Jiaming Sun, Jianghong Yao, Xiaodong Xing, Bo Xu, Shengchun Qu, Qiang Shu, Guanjie Zhang, Zhanguo Wang, Growth mode transition InP epilayers by solid source molecular beam epitaxy,半导体学报,Vol.28 Supplement：45-49(2007).
4、SHU Yong-chun, PI Biao, LIN Yao-Wang,XING Xiao-dong,YAO Jiang-hong, WANG Zhan-guo, XU Jing-jun, High electron mobility of modulation doped GaAs after growing InP by solid source molecular beam epitaxy, Trans. Nonferrous Met.Soc.China (SCI),Vol.15(2), 332-335(2005).
5、Zhang Guanjie, Shu Yongchun, Pi Biao, Xing Xiaodong, Lin Yaowang, Yao Jianghong, Wang Zhanguo and Xu Jingjun, Compatibility study on growing high quality modulation doped GaAs and InP/InP epilayers by solid source molecular beam epitaxy，人工晶体学报(EI)，Vol.34 (3), 395-398 (2005).
职 称：高级工程师（副高）
学 位： 博士
研究方向：半导体材料与器件
办公电话： +86 022 66229458
电子邮件：pib@tedamail.nankai.edu.cn
个人简介：
皮彪，男，汉族，生于1967年7月，黑龙江省鹤岗市人。
主要教育及工作经历如下：
2007.7－至今 南开大学泰达应用物理学院，高级工程师
2004.9－2007.7 南开大学,博士
1999.7－2003.7 西北稀有金属材料研究院,高级工程师
1996.9－1999.7 西安理工大学,硕士
1989.7－1996.9 西北稀有金属材料研究院,工程师
1985.9－1989.7 西安理工大学,学士
科研项目、成果、获奖、专利等情况：
获中国有色金属工业总公司科技进步一等奖（1996年）
撰写论文、专著、教材等（有代表性的或者近5年发表的）：
1、Biao Pi, Yongchun Shu, Yaowang Lin, Jiaming Sun, Shengchun Qu, Jianghong Yao, Xiaodong Xing, Bo Xu , Qiang Shu, Zhanguo Wang, Jingjun Xu，Morphological and electrical properties of InP grown by solid source molecular beam epitaxy, J. Cryst. Growth, 299， 243-247(2007).
2、PI Biao, SUN Jia-ming, LIN Yao-wang, YAO Jiang-hong, XING Xiao-dong, CAI Ying,SHU Qiang, JIA Guo-zhi,LIU Ru-bin, LI Dan, WANG Zhan-guo, Unstable growth in InP homoepitaxy:Mound formation, 人工晶体学报, Vol.36(2): 263-266 (2007).
3、Biao Pi, Yongchun Shu, Yaowang Lin, Jiaming Sun, Jianghong Yao, Xiaodong Xing, Bo Xu, Shengchun Qu, Qiang Shu, Guanjie Zhang, Zhanguo Wang, Growth mode transition InP epilayers by solid source molecular beam epitaxy,半导体学报,Vol.28 Supplement：45-49(2007).
4、SHU Yong-chun, PI Biao, LIN Yao-Wang,XING Xiao-dong,YAO Jiang-hong, WANG Zhan-guo, XU Jing-jun, High electron mobility of modulation doped GaAs after growing InP by solid source molecular beam epitaxy, Trans. Nonferrous Met.Soc.China (SCI),Vol.15(2), 332-335(2005).
5、Zhang Guanjie, Shu Yongchun, Pi Biao, Xing Xiaodong, Lin Yaowang, Yao Jianghong, Wang Zhanguo and Xu Jingjun, Compatibility study on growing high quality modulation doped GaAs and InP/InP epilayers by solid source molecular beam epitaxy，人工晶体学报(EI)，Vol.34 (3), 395-398 (2005).
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