唐明华，男，1966年6月出生于湖南省祁东县，党员，博士，教授，博士生导师。1988年7月毕业于湘潭大学物理系无线电物理专业。2003年9月至2004年9月在清华大学微电子研究所学习微电子专业课程，熟悉集成电路设计、制造和测试的基本原理及方法。2007年获湘潭大学材料物理与化学专业博士学位。2008年8月至2009年8月日本东京工业大学(Research Lab. of Advanced Integrated Electronics of the Department of Electronics and Applied Physics, TIT)高级访问学者，参与由TIT、Fujitsu公司及Toshima公司联合资助的铁电存储器的研发工作。中国材料学会高级会员，Applied Physics Letters、The Journal of Electronic Materials、Microelectronics Reliability、Thin Solid Films、Journal of Nanoscience and Nanotechnology、Applied Physics-A、Materials Letters等国际期刊审稿人，中国科技论文在线通讯评审专家。湘潭大学“材料与器件”国家级教学团队骨干成员(教高函[2007]23号)。
主持国家自然科学基金项目、湖南省自然科学基金项目、湖南省教育厅项目、低维材料及其应用技术教育部重点实验室开放课题、湖南省大学生研究性学习和创新性试验计划项目、湖南省普通高校教学改革研究项目、湘潭大学博士启动基金项目各1项；作为主要成员或实际完成人，参与高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目、国家自然科学基金项目重点项目、国家自然科学基金项目、湖南省科技厅重点项目等10项。
近年来，在Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics、Solid State Communications、Solid State Electronics、Materials Letters、Physica B、Integrated Ferroelectrics、Journal of Semiconductors、Semiconductor Technology等国内外著名刊物和国际会议上发表学术论文42篇，研究成果得到国内外同行的高度关注。
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学习工作经历
1984.09-1988.07 湘潭大学物理系无线电物理专业 大学本科毕业
2003.09-2007.09 湘潭大学材料与光电物理学院 材料物理与化学专业博士研究生
2003.09-2004.09 清华大学微电子研究所 学习微电子及集成电路设计
2002.05-2007.10 湘潭大学材料与光电物理学院 副教授
2007.11- 湘潭大学材料与光电物理学院 教授
2008.08-2009.08 日本东京工业大学 (Tokyo Institute of Technology) 高级访问学者
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主讲课程
本科生课程
1.《超大规模集成电路与系统》(双语教学)
2.《数字集成电路设计》(双语教学)
3.《集成电路课程设计》
4.《微电子学专业英语》
研究生课程
1.《集成电路分析与设计》
2.《VLSI设计新进展》
3.《微机械电子系统MEMS》
4.《微纳电子学与器件》
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研究方向
1. 大规模集成电路设计
2. 无铅铁电薄膜存储器的制备与性能表征
3. 先进半导体器件的物理特性及计算机模拟
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获奖情况
2005年，指导微电子学本科生郭宗亭，获全国大学生电子设计大赛湖南赛区一等奖。
2007年，指导硕士研究生叶 志，获第二届湖南省大学生品学奖、湘潭大学第十二届研究生校长奖特等奖。
2007年，指导微电子学本科生尚岸奇，获湘潭大学电子设计竞赛决赛一等奖。
2007年，湘潭市自然科学优秀论文一等奖。
2008年，指导硕士研究生杨 锋，获湘潭大学第十三届研究生校长奖特等奖、湘潭大学校友奖学金特等奖。
2008年，湖南省自然科学优秀论文二等奖。
2008年，指导硕博连读研究生杨 锋，获第三届全国压电和声波理论及器件技术研讨会(SPAWDA08) 优秀学生论文优胜奖。
2009年，指导硕士研究生叶 志，获湖南省优秀硕士学位论文奖。
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科研项目
主持的科研项目
1. 2009.01~2011.12，无铅铁电薄膜场效应晶体管的保持性能，国家自然科学基金项目(60876054，37万元)。
2. 2008.01~2010.12，非破坏性读出无铅铁电薄膜场效应晶体管的制备及电学性能，湖南省自然科学基金项目(08JJ3122，7万元)。
3. 2008.01~2010.12，无铅铁电薄膜场效应晶体管的保持性能研究，湘潭大学博士启动基金项目(08QDZ05，8万元)。
4. 2008.07~2009.07，新型高速、低功耗电流灵敏放大器的设计，指导湖南省大学生研究性学习和创新性试验计划项目(湘教通[2008]269号-69，1万元)。
5. 2006.09~2008.09，非破坏性读出无铅MFISFET的制备及电学性能研究，低维材料及其应用技术教育部重点实验室开放课题(KF0602，1万元)。
6. 2007.01~2008.12，基于创新与实践能力培养的集成电路制造工艺教学改革与实践，湖南省普通高校教学改革研究项目(2006-43，0.4万元)。
7. 2005.01~2006.12，无铅铁电薄膜存储器的制备及其性能研究，湖南省教育厅科研项目(05C095，1.5万元)。
作为主要成员或实际完成人参与的科研项目
1. 2005.01~2007.12，铋层状钙钛矿铁电薄膜的制备及其热冲击下断裂失效行为，国家自然科学基金项目(10472099，28万元)，排名第4。
2. 2005.01~2006.12，无铅铁电薄膜电容器、存储器及其相关性能，湖南省自然科学基金项目(05JJ30208，2万元)，排名第2。
3. 2005.01~2006.12，无铅铁电薄膜的制备及其在微电子学中的应用，湖南省自然科学基金项目(05JJ30126，1万元)，排名第3。
4. 2005.01~2007.12，无铅铁电薄膜及其纳米薄膜微器件，湖南省科技厅重点项目(05FJ2005，10万元)，排名第3。
5. 2006.01~2008.12，基于晶体缺陷的铁电材料介观理论及实验表征：电畴结构和界面效应，国家自然科学基金项目(10572124，38万元)，排名第4。
6. 2006.02~2008.12，BNT、BLT无铅铁电薄膜微器件，湖南省湘潭市科技计划项目(GY2006-02，2万元)，排名第3。
7. 2007.01~2009.12，ZnO、ZnS压电纳米带及物理力学性能，国家教育部科学技术研究重点项目(207079，2万元)，湖南省教育厅重点项目(06A072，10万元)，排名第3。
8. 2007.01~2009.12，自组装半导体压电纳米带及相关力学性能，国家自然科学基金项目(10672193，39万元)，排名第4。
9. 2007.01~2009.12，无铅铁电薄膜及存储器的制备和失效行为，高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目(076044，80万元)，排名第7。
10. 2007.01~2009.12，微纳电子材料及器件的力、电、热耦合破坏理论和实验研究，国家自然科学基金重点项目(10732100，200万元)，排名第6。
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主要代表性论文
2009年
[1] M. H. Tang, W. F. Zhao, F. Yang, H. Y. Xu, Z. H. Sun, J. Zhang, W. Shu, G. J. Dong, J. W. Hou, Y. G. Xiao, Y. C. Zhou and J. He, The electronic conduction mechanism in magnesium-doped Ba0.4Sr0.6TiO3 thin films for varactor application, Solid State Communications. (Accepted)
[2] Feng Yang, Y. C. Zhou, M. H. Tang, Fen Liu, Ying Ma, X. J. Zheng, W. F. Zhao, H. Y. Xu and Z. H. Sun, Eight-logic memory cell based on multiferroic junctions, Journal of Physics D: Applied Physics. (Accepted)
2008年
[3] F. Yang, M. H. Tang, Y. C. Zhou, F. Liu, Y. Ma, X. J. Zheng, J. X. Tang, H. Y. Xu, W. F. Zhao, Z. H. Sun, J. He, Fatigue mechanism of the ferroelectric perovskite thin films, Applied Physics Letters, 92 (2008), 022908 (1-3).
[4] X. J. Zheng, J. Sun, J. J. Zhang, M H. Tang, W. Li, Evaluation of capacitance-voltage characteristic and memory window of metal-ferroelectric-insulator-silicon capacitors, Applied Physics Letters, 93 (2008), 213501 (1-3).
[5] J. X. Tang, M. H. Tang, F. Yang, J. J. Zhang, Y. C. Zhou, and X. J. Zheng, A temperature-dependent model for threshold voltage and potential distribution of deep-submicron fully depleted SOI MOSFETs, Journal of Semiconductors, 29 (1) (2008), 45-49.
[6] J. X. Tang, M. H. Tang, F. Yang, J. J. Zhang, Y. C. Zhou, and X. J. Zheng, Fabrication of (Bi3.7Dy0.3)(Ti2.8V0.2)O12 thin films and influence of annealing temperature, Semiconductor Technology, 33 (2) (2008), 106-108.
[7] C. P. Cheng, M. H. Tang, J. Y. Yang, Y. H. Deng, Ferroelectric properties of Bi3.4Dy0.6Ti3O12 thin films crystallized in N2, Materials Letters, 62 (16) (2008), 2450-2453.
[8] J. X. Tang, M. H. Tang, F. Yang, J. J. Zhang, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, Effects of asymmetry doping channel on partially depleted SOI MOSFETs, Journal of Semiconductors, 29 (6) (2008), 5-9.
[9] J. X. Tang, M. H. Tang, J. Zhang, F. Yang, W. F. Zhao, H. Y. Xu, Z. H. Sun, Y. C. Zhou, V5+-doped Bi3.4Yb0.6Ti3O12 fatigue resistant, ferroelectric thin films, Materials Letters, 62 (17-18) (2008), 3189-3191.
[10] X. J. Zheng, L. He, M. H. Tang, Y. Ma, J. B. Wang and Q. M. Wang, Enhancement of fatigue endurance and retention characteristic in Bi3.25Eu0.75Ti3O12 thin films, Materials Letters, 62 (17-18) (2008), 2876-2879.
[11] Z. S. Hu, M. H. Tang, J. B. Wang, X. J. Zheng, Y. C. Zhou, Effect of the extrapolation length on phase transformation of epitaxial ferroelectric thin films, Physica B: Condensed Matter, 403 (19-20) (2008), 3700-3704.
2007年
[12] M. H. Tang, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, Z. Yan, C. P. Cheng, Z. Ye, Z. S. Hu, Structural and electrical properties of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor transistors using a Pt/Bi3.25Nd0.75Ti3O12/Y2O3/Si structure, Solid State Electronics, 51 (2007), 371-375.
[13] M. H. Tang, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, Z. Ye, C. P. Cheng, Z. S. Hu, J. He, Electrical Properties of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Capacitors using Pt/(Bi3.15Nd0.85)(Ti3-xVx)O12/Y2O3/Si Structure, Integrated Ferroelectrics, 94 (1) (2007), 105-114.
[14] M. H. Tang, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, Q. P. Wei, C. P. Cheng, Z. Ye, Z. S. Hu, Microstructure and electrical properties of CeO2 ultra-thin films for MFIS FeRAM applications, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 17 (2007), s741-s746.
[15] Z. Ye, M. H. Tang, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, C. P. Cheng, Z. S. Hu, H. P. Hu, Modeling of imprint in hysteresis loop of ferroelectric thin films with top and bottom interface layers, Applied Physics Letters, 90 (2007), 042902 (1-3).
[16] Z. Ye, M. H. Tang, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, C. P. Cheng, Z. S. Hu, H. P. Hu, Electrical properties of V-doped Bi3.15Nd0.85Ti3O12 thin films with different contents, Applied Physics Letters, 90 (2007), 082905 (1-3).
[17] F. Yang, M. H. Tang, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, F. Liu, J. X. Tang, J. J. Zhang, J. Zhang, and Chang Q. Sun, A model for the polarization hysteresis loops of the perovskite-type ferroelectric thin films, Applied Physics Letters, 91 (2007), 142902 (1-3).
[18] J. Zhang, M. H. Tang, J. X. Tang, F. Yang, H. Y. Xu, W. F. Zhao, X. J. Zheng, Y. C. Zhou, and J. He, Bilayer model of polarization offset of compositionally graded ferroelectric thin films, Applied Physics Letters, 91 (2007), 162908 (1-3).
[19] F. Yang, M. H. Tang, Z. Ye, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, J. X. Tang, J. J. Zhang and J. He, Eight logic states of tunneling magneto-electroresistance in multiferroic tunnel junctions, Journal of Applied Physics, 102 (2007), 044504(1-5).
[20] C. P. Cheng, M.H. Tang, Z. Ye, X. L. Zhong, X. J. Zheng, Y. C. Zhou, Z. S. Hu, Structure evolution and ferroelectric properties of Bi3.4Yb0.6Ti3O12 thin films crystallized under a moderate temperature, Materials Letters, 61 (2007), 3563-3566.
[21] C. P. Cheng, M. H. Tang, Z. Ye, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, Z. S. Hu, H. P. Hu, Microstructure and ferroelectric properties of dyprosia-doped bismuth titanate thin films, Materials Letters, 61 (2007), 4117-4120.
[22] L. H. Wang, J. Yu, Y. B. Wang, J. X. Gao, M. H. Tang, The optimization of excess Pb content in sol-gel deposited sandwich structure PbTiO3/PbZr0.3Ti0.7O3/PbTiO3 thin films, Integrated Ferroelectrics, 94 (1) (2007), 47-55.
[23] X. J. Zheng, J. J. Zhang, Y. C. Zhou, M. H. Tang, B. Yang, Y. Q. Chen, Simulation of electric properties of MFIS capacitor with BNT ferroelectric thin film using Silvaco/Atlas, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 17 (2007), s752-s755.
[24] F. Yang, M. H. Tang, F. Liu, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, J. X. Tang, and J. J. Zhang, The nonswitching dielectric layer thickness dependence of the channel current in MFIS-FET, The 7th International Conference on ASIC Proceeding, IEEE PRESS, (2007), 1054-1057.
[25] J. X. Tang, M. H. Tang, F. Yang, J. J. Zhang, Y. C. Zhou, and X. J. Zheng, A temperature-dependent model for kink effect of partially depleted SOI MOSFETs, Journal of Functional Materials, 38 (2007), 872-877.
[26] J. X. Tang, M. H. Tang, F. Yang, J. J. Zhang, Y. C. Zhou, and X. J. Zheng, Modeling of temperature characteristics for metal-ferroelectric-insulator-semiconductor devices, The 7th International Conference on ASIC Proceeding, IEEE PRESS, (2007), 1050-1053.
[27] C. P. Cheng, M. H. Tang, Z. Ye et al, Study to the effect of annealing temperature on (Bi,Yb)4Ti3O12 thin films, Semiconductor Technology, 32(3) (2007), 234-237.
[28] C. P. Cheng, M. H. Tang, Z. Ye, Y. C. Zhou, Crystallization of (Bi, Dy)4Ti3O12 films in N2 atmosphere, Natural Science Journal of Xiangtan University, 29(4) (2007), 31-34.
[29] J. X. Tang, J. Zhang, M. H. Tang, F. Yang, J. J. Zhang, Y. C. Zhou, Simulation of high temperature characteristics for partially-depleted and fully-depleted SOI MOSFETs, Optics & Optoelectronic Technology, 5 (5) (2007), 140-144.
[30] J. X. Tang, M. H. Tang, F. Yang, J. J. Zhang, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, Effects of substrate doping on the performance of MFIS-FETs, Optics & Optoelectronic Technology, 5 (5) (2007), 145-148.
[31] H. Y. Xu, M. H. Tang, W. F. Zhao, Z. H. Sun, X. J. Zheng, Y. C. Zhou, The fabrication and ferroelectric properties of P(VDF-TrFE) copolymer films, Optics & Optoelectronic Technology, 5 (5) (2007), 149-152.
[32] F. Yang, M. H. Tang, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, J. X. Tang, J. J. Zhang, Electrical properties and frequency dependence of the hysteresis loop of (Bi4-x,Ndx)(Ti2.95V0.05)O12 thin films with different Nd contents, Optics & Optoelectronic Technology, 5 (5) (2007), 153-156.
[33] W. F. Zhao, M. H. Tang, H. Y. Xu, Z. H. Sun, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, Sol-gel derived parallel-plate ferroelectric Ba0.4Sr0.6TiO3 thin films for tunable high frequency application, Optics & Optoelectronic Technology, 5 (5) (2007), 162-165.
[34] Z. H. Sun, M. H. Tang, Y. C. Zhou, H. Y. Xu, W. F. Zhao, Research progress on the retention properties of ferroelectric memories, Optics & Optoelectronic Technology, 5 (5) (2007), 181-184.
2006年
[35] M. H. Tang, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, Z. Yan, C. P. Cheng, Z. Ye, Z. S. Hu, Characterization of ultra-thin Y2O3 films as insulator of MFISFET structure, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 16 (2006), s63-s66.
[36] M. H. Tang, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, Z. T. Guo, C. P. Cheng, Z. Ye, Z. S. Hu, A novel design of 0.25 um 2.5 V 2T-2C sensing scheme for FeRAM, The IEEE 8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology Proceedings (ICSICT2006), IEEE PRESS, (2006) pp.818-820.
[37] X. J. Zheng, L. He, Y. C. Zhou and M. H. Tang, Effects of europium content on the microstructural and ferroelectric properties of Bi4-xEuxTi3O12 thin films, Applied Physics Letters, 89 (2006), 252908 (1-3).
[38] Z. Ye, M. H. Tang, C. P. Cheng, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, Z. S. Hu, Simulation of polarization and butterfly hysteresis loops in bismuth layer-structured ferroelectric thin films, Journal of Applied Physics, 100 (2006), 094101(1-5).
[39] Z. Ye, M. H. Tang, C. P. Cheng, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, Z. S. Hu, Effect of annealing temperature on ferroelectric properties of (Bi, Nd)4(Ti,V)3O12 thin films, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 16 (2006), s71-s74.
[40] C. P. Cheng, M. H. Tang, Z. Ye, Y. C. Zhou, X. J. Zheng, Ferroelectric properties of dysprosium-doped Bi4Ti3O12 thin films crystallized in various atmospheres, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 16 (2006), s33-s36.
[41] L. He, T. Zhang, M. H. Tang, S. F. Deng, Effect of crystallization temperature on microstructure and ferroelectric property of Bi3.25Eu0.75Ti3O12 thin films prepared by MOD method, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 16 (2006), 1154-1158.
[42] C. P. Cheng, M. H. Tang, Z. Ye, Y. C. Zhou et al., Preparation of Yb-doped Bi4Ti3O12 thin films, Semiconductor Technology, 31 (8) (2006), 612-613.