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孙立忠老师介绍
孙立忠,男,1971年1月出生, 硕士生导师。2005年于中国科学院上海技术物理所获理学博士学位。2005年获得中国科学院院长优秀奖。近年来主要从事红外光电子材料，稀磁半导体材料及铁电材料的第一性原理研究工作。2006年破格晋升副教授、硕士生导师。
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学习工作经历
1999~2002 华北工学院 硕士
2002~2005 中国科学院上海技术物理所红外国家重点实验室 博士
2005~ 湘潭大学材料与光电物理学院
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主讲课程
研究生: 固体理论、固体能带理论
本科: 固体物理与半导体物理、半导体物理学、量子力学基础
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研究方向
1:半导体杂质缺陷物理
2:红外光电子材料HgCdTe杂质缺陷对材料性能影响的第一性原理研究
3:稀磁半导体材料磁性起源的第一性原理研究
4:铁电材料双掺改性的第一性原理研究
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科研项目
1>国家自然科学基金面上项目，六角层状氮化硼光电属性的应力调制，主持（No.10874143）2009.1-2011.12
2>教育部博士点新教师基金项目，II-VI族半导体材料中复合杂质的第一性原理研究，主持（编号：20070530008）2008.01-2010.12
3> 湖南省教育厅优秀青年项目, 红外光电子材料HgCdTe中As杂质与Hg空位复合杂质的耦合机理研究， 主持 (编号：06B092) 2007.1-2009.12
4>红外物理国家重点实验室开放课题 碲镉汞材料中As掺杂与Hg空位复合掺杂效应， 主持 (编号：200501) 2005-2007
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主要代表性论文
标记星号为通讯作者
[1]. G.C.Zhou, L.Z.Sun*, J.B.Wang, X.L.Zhong, C.Zhou, Evolution of the Bonding Mechanism of ZnO Under Isotropic Compression:a First-Principles Study, Physica B 403, 2832(2008).
[2]. L.Z. Sun, Chen Xiaoshuang, Jijun Zhao, J.B. Wang, Y.C. Zhou, Lu Wei, Electronic properties and chemical trends of the arsenic in situ impurities in Hg1-xCdxTe: First-principles study, Phys. Rev. B 76, 045219-(1-7) (2007).
[3]. H B Shu, G C Zhou, X L Zhong, L Z Sun*, J B Wang, X S Chen, and Y C Zhou,Effects of lattice strain and ions displacement on the bonding mechanism of ferroelectric perovskite material BaTiO3: First-principles study, J. Phys.: Condens. Matter 19, 276213 (2007) .
[4]. G.C.Zhou，L. Z. Sun*，X.L.Zhong，Xiaoshuang Chen，Lu Wei，J.B.Wang, First-principle study on bonding mechanism of ZnO by LDA+U method, Phys. Lett. A 368, 112-116 (2007).
[5]. L. Z. Sun, X.S.Chen, Y.L.Sun, X.H.Zhou, Zh.J.Quan, Wei Lu，Relaxations and Boning Mechanism in Hg1-xCdxTe with Mercury Vacancy Defect: First-principles Study，Phys. Rev. B 73, 195206-(1-8) (2006).
[6]. Sun Li-zhong, Zhong Xiang-li, Wang Jin-bin, Chen Xiao-shuang, Lu Wei, Relaxations and bonding mechanism of arsenic in-situ impurities in MCT: first-principles study, Trans. Nonferrous Met. Soc. China 16, 907-911 (2006).
[7]. L. Z. Sun, X.S.Chen, Wei Lu, S.C.Shen, First-principle study on arsenic impurities and mercury vacancy in Hg1-xCdxTe, IEEE IRMMW-THz 2005. Vol.1, 259-260 (2006).
[8]. L. Z. Sun, X.S.Chen, X.H.Zhou, Y.L.Sun, Wei Lu, Alloying Effects on the Bonding Mechanism of Hg1-xCdxTe: First principles Study，J. Appl. Phys. (revised)
[9]. L. Z. Sun, X.S.Chen, Y.L.Sun, X.HZhou, Zh.J.Quan, He Duan, Wei Lu，Structural and electronic properties of the in situ impurity AsHg in Hg0.5Cd0.5Te:First-principles study，Phys. Rev. B 71，193203-(1-4) (2005).
[10]. L. Z. Sun, X.S.Chen, X.H.Zhou, Y.L.Sun, Wei Lu, First Principle Study on the Bonding Mechanism of Nanoring Structure Ga8As8, Eur.Phys.J.D 34, 47–50 (2005).
[11]. 孙立忠, 陈效双, 周孝好, 孙沿林, 全知觉, 陆卫, 碲镉汞材料中Hg空位缺陷的第一性原理研究,物理学报 (第54卷第4期2005年4月) 54, 1756-1761 (2005)。
[12]. 孙立忠，陈效双，郭旭光，孙沿林，周孝好，陆卫，CdTe和HgTe能带结构的第一性原理计算,红外与毫米波学报，23，271～275（2004）。
[13]. [发明专利] 陆卫，孙立忠，李宁，陈贵宾，王少伟，陈效双，李志峰，光学读出的氮化镓单量子阱超声波传感器，专利号：ZL 200310109249.8，授权公告号：CN 1264018C.
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学习工作经历
1999~2002 华北工学院 硕士
2002~2005 中国科学院上海技术物理所红外国家重点实验室 博士
2005~ 湘潭大学材料与光电物理学院
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主讲课程
研究生: 固体理论、固体能带理论
本科: 固体物理与半导体物理、半导体物理学、量子力学基础
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研究方向
1:半导体杂质缺陷物理
2:红外光电子材料HgCdTe杂质缺陷对材料性能影响的第一性原理研究
3:稀磁半导体材料磁性起源的第一性原理研究
4:铁电材料双掺改性的第一性原理研究
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科研项目
1>国家自然科学基金面上项目，六角层状氮化硼光电属性的应力调制，主持（No.10874143）2009.1-2011.12
2>教育部博士点新教师基金项目，II-VI族半导体材料中复合杂质的第一性原理研究，主持（编号：20070530008）2008.01-2010.12
3> 湖南省教育厅优秀青年项目, 红外光电子材料HgCdTe中As杂质与Hg空位复合杂质的耦合机理研究， 主持 (编号：06B092) 2007.1-2009.12
4>红外物理国家重点实验室开放课题 碲镉汞材料中As掺杂与Hg空位复合掺杂效应， 主持 (编号：200501) 2005-2007
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主要代表性论文
标记星号为通讯作者
[1]. G.C.Zhou, L.Z.Sun*, J.B.Wang, X.L.Zhong, C.Zhou, Evolution of the Bonding Mechanism of ZnO Under Isotropic Compression:a First-Principles Study, Physica B 403, 2832(2008).
[2]. L.Z. Sun, Chen Xiaoshuang, Jijun Zhao, J.B. Wang, Y.C. Zhou, Lu Wei, Electronic properties and chemical trends of the arsenic in situ impurities in Hg1-xCdxTe: First-principles study, Phys. Rev. B 76, 045219-(1-7) (2007).
[3]. H B Shu, G C Zhou, X L Zhong, L Z Sun*, J B Wang, X S Chen, and Y C Zhou,Effects of lattice strain and ions displacement on the bonding mechanism of ferroelectric perovskite material BaTiO3: First-principles study, J. Phys.: Condens. Matter 19, 276213 (2007) .
[4]. G.C.Zhou，L. Z. Sun*，X.L.Zhong，Xiaoshuang Chen，Lu Wei，J.B.Wang, First-principle study on bonding mechanism of ZnO by LDA+U method, Phys. Lett. A 368, 112-116 (2007).
[5]. L. Z. Sun, X.S.Chen, Y.L.Sun, X.H.Zhou, Zh.J.Quan, Wei Lu，Relaxations and Boning Mechanism in Hg1-xCdxTe with Mercury Vacancy Defect: First-principles Study，Phys. Rev. B 73, 195206-(1-8) (2006).
[6]. Sun Li-zhong, Zhong Xiang-li, Wang Jin-bin, Chen Xiao-shuang, Lu Wei, Relaxations and bonding mechanism of arsenic in-situ impurities in MCT: first-principles study, Trans. Nonferrous Met. Soc. China 16, 907-911 (2006).
[7]. L. Z. Sun, X.S.Chen, Wei Lu, S.C.Shen, First-principle study on arsenic impurities and mercury vacancy in Hg1-xCdxTe, IEEE IRMMW-THz 2005. Vol.1, 259-260 (2006).
[8]. L. Z. Sun, X.S.Chen, X.H.Zhou, Y.L.Sun, Wei Lu, Alloying Effects on the Bonding Mechanism of Hg1-xCdxTe: First principles Study，J. Appl. Phys. (revised)
[9]. L. Z. Sun, X.S.Chen, Y.L.Sun, X.HZhou, Zh.J.Quan, He Duan, Wei Lu，Structural and electronic properties of the in situ impurity AsHg in Hg0.5Cd0.5Te:First-principles study，Phys. Rev. B 71，193203-(1-4) (2005).
[10]. L. Z. Sun, X.S.Chen, X.H.Zhou, Y.L.Sun, Wei Lu, First Principle Study on the Bonding Mechanism of Nanoring Structure Ga8As8, Eur.Phys.J.D 34, 47–50 (2005).
[11]. 孙立忠, 陈效双, 周孝好, 孙沿林, 全知觉, 陆卫, 碲镉汞材料中Hg空位缺陷的第一性原理研究,物理学报 (第54卷第4期2005年4月) 54, 1756-1761 (2005)。
[12]. 孙立忠，陈效双，郭旭光，孙沿林，周孝好，陆卫，CdTe和HgTe能带结构的第一性原理计算,红外与毫米波学报，23，271～275（2004）。
[13]. [发明专利] 陆卫，孙立忠，李宁，陈贵宾，王少伟，陈效双，李志峰，光学读出的氮化镓单量子阱超声波传感器，专利号：ZL 200310109249.8，授权公告号：CN 1264018C.
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